石墨探针直接收集和石墨探针炉原子吸收法测定APM中痕量镉

本文采用多孔石墨探针直接采集大气微粒物质（ＡＰＭ）后，立即用石墨探针炉原子吸收法测定收集在探针上的ＡＰＭ中镉。实验表明，面积吸光度与镉的浓度在０－５０μｇ／Ｌ呈良好线性关系。镉的特征量和检测出限分别为２．４８和１．８６ｐｇ，其相对标准偏 ２．０６％，分析标准参比其回收率和相对标准偏差。分别为９０．１５－９９．２９％和４．０９％。方法准确、灵敏、快速、简便。     

钠金属蒸气中三次谐波的产生

利用锁模红外微微秒脉冲系列,在热管炉中的钠氙相位匹配混合气体中,观察到微微秒三次谐波的产生.其波长为3518A,三次谐波的功率达2.5MW,基波到三次谐波的转换效率为5×10~(-4).     

Z-自动机与分划逻辑

本文分解Ｚ 自动机成为ω 自动机偶的复合；建立了Ｚ的Ｌ（ＭＰ）理论，利用Ｚ 自动机的技巧证明了Ｚ的Ｌ（ＭＰ）理论的可判定性．作为应用，证明了有限状态过程的正确性问题是可判定的．     

L′ω1ω上的α-省略型定理及其应用

本文建立了L′_(ω1ω)上的一种α-省略型定理,并利用这一定理证明了当|T|是可测基数时的Morley猜想。     

四氢β-咔啉类化合物的13C NMR研究

测定了四对新合成的四氢β-咔啉化合物的¹³C NMR谱,通过APT、HETCOR和HETCOLOC谱指认了所有碳的归属.所确定的化学位移规律可以用来确定它们的构型.     

养阴通脑颗粒中生物碱对大鼠脑缺血后脑组织内皮素-1基因表达的影响

内皮素(ET)是近年发现的器官局部血液调节因子.ET是目前所知作用最强的长效血管收缩剂,其对血栓形成起着重要作用.以往研究表明养阴方药能显著的降低ET含量,提示养阴方药具有调节血管舒缩功能[1].养阴通脑颗粒对大鼠脑缺血再灌注损伤具有保护作用[2].为进一步研究养阴通脑颗粒中活性物质及其作用机制,本实验先后对养阴通脑颗粒的成分进行分离分析,并利用原位杂交法,选用脑缺血后脑皮层内皮素-1基因表达指标,观察了养阴通脑颗粒中生物碱(以下简称中生物碱)对其干预作用.现将结果报道如下.     

激光等离子体衰减系数的测量

利用“星光”激光装置的线聚焦激光束辐照碳铝组合靶，形成Ｘ光点源及铝等离子体的衰减区。用带时间分辨的平场光栅谱仪测量由碳等离子体发射的Ｘ射线在穿过长为３ｍｍ的铝等离子体后强度随时间的变化。测量结果表明该方法用于激光等离子体衰减系数测量是可行的。     

A Random Number Generator Based on Quantum Entangled Photon Pairs

A new scheme for a random number generator based on quantum entangled photon pairs is demonstrated.Signal photons produced by optical parametric down-conversion are detected at two single-photon detectors after transmission or reflection at a 50/50% beamsplitter, to form a truly random binary sequence. Their arrival is signalled by their twin idler photons, so that a cw laser source may be used instead of attenuated laser pulses.Coincidence measurement is employed to obtain the bit sequences, which are shown to fully satisfy the standard tests for randomness.     

血卟啉衍生物和核黄素生物分子吸附膜的非线性增强效应

吸附在光学表面上的血卟啉衍生物和核黄素生物分子膜层,在波长λ=1.06μm基波激光作用下,能产生二次谐波和三次谐波信号.血卟啉衍生物分子膜产生的谐波光束,其方向性与基波相同,而核黄素则不同,谐波信号散射在较大的角度范围内.     

分子束外延及溅射法制备Co/Cu多层膜结构与磁电阻的比较研究

对用分子束外延（MBE）和溅射方法制备的Co/Cu多层膜样品分别进行了结构及磁性研究．X射线分析表明两者均有良好的调制周期性，并且前者形成外延单晶结构，铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在，说明此超晶格具有完整的面内二维结构．磁电阻测量发现，溅射制备的多层膜具有较高的磁电阻值并明显地随Cu层厚度而振荡，相应的室温磁电阻峰值分别为27%，24%，14%；而MBE制备的超晶格的磁电阻较小，其第二峰的数值只有7%．MBE超晶格界面处可能具有超顺磁性，对磁电阻和磁化强度的不同的外场依赖关系有一定的影响． 关键词：