全文获取类型
收费全文 | 49606篇 |
免费 | 9687篇 |
国内免费 | 26316篇 |
专业分类
化学 | 50706篇 |
晶体学 | 2089篇 |
力学 | 2427篇 |
综合类 | 1607篇 |
数学 | 7756篇 |
物理学 | 21024篇 |
出版年
2024年 | 379篇 |
2023年 | 1659篇 |
2022年 | 1770篇 |
2021年 | 2088篇 |
2020年 | 1737篇 |
2019年 | 2232篇 |
2018年 | 1595篇 |
2017年 | 2189篇 |
2016年 | 2478篇 |
2015年 | 2704篇 |
2014年 | 3793篇 |
2013年 | 4309篇 |
2012年 | 4439篇 |
2011年 | 4233篇 |
2010年 | 3825篇 |
2009年 | 4322篇 |
2008年 | 4779篇 |
2007年 | 4494篇 |
2006年 | 4789篇 |
2005年 | 4316篇 |
2004年 | 4329篇 |
2003年 | 3181篇 |
2002年 | 2255篇 |
2001年 | 2059篇 |
2000年 | 1682篇 |
1999年 | 1634篇 |
1998年 | 1134篇 |
1997年 | 846篇 |
1996年 | 816篇 |
1995年 | 703篇 |
1994年 | 697篇 |
1993年 | 667篇 |
1992年 | 752篇 |
1991年 | 753篇 |
1990年 | 636篇 |
1989年 | 595篇 |
1988年 | 310篇 |
1987年 | 160篇 |
1986年 | 81篇 |
1985年 | 79篇 |
1984年 | 39篇 |
1983年 | 38篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 3篇 |
1959年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 468 毫秒
101.
102.
对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明:提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度,退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移,而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。 相似文献
103.
104.
金属银熔体快冷过程的计算机模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
利用分子动力学模拟技术研究了由周期性边界条件控制的500个银(Ag)原子构成的金属Ag熔体快速冷凝过程.冷却速率为8×1013K/s.模拟在FS(Finnis-Sinclair)相互作用势的基础上,通过双体分布函数、键对分析技术、键取向序等多种方法,对液银快速冷凝过程的微观结构转变特性作了分析,给出了连续快速冷凝过程中液银原子间依靠相互作用力形成的独特的微观结构图像.并考察了冷却过程中体系能量和元胞体积随温度的变化.模拟结果表明在快速冷凝过程中液Ag没有形成bcc结构的倾向. 相似文献
105.
采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca2SiO3Cl2:Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。 相似文献
106.
107.
108.
ICP-AES测定镍基焊料中的磷 总被引:1,自引:0,他引:1
通过酸溶解试验、基体共存元素干扰实验等,建立了ICP-AES测定镍基焊料中高含量磷的分析方法.样品加标回收率为100.5%-101.0%,相对标准偏差小于0.80%.该方法简便、快速、准确可靠. 相似文献
109.
110.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:3,自引:2,他引:1
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816· 相似文献