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11.
直拉法硅单晶生长是一个多场多相耦合、物理变化复杂,且具有大滞后和非线性现象的过程,基于单晶硅生长系统内部机理所构建的机理模型由于存在诸多假设而无法应用于工程实际。因此,本文以现有CL120-97单晶炉拉晶车间的长期、海量晶体生长数据为基础,忽略炉内复杂的晶体生长环境,对影响晶体直径的拉晶参数进行关联性分析及特征量化,探寻拉晶数据中所蕴藏的规律信息,进而建立基于数据驱动的BP神经网络晶体直径预测模型,并针对现有BP神经网络易陷入局部极小值的问题,采用遗传算法对BP神经网络的阈值和权值进行优化,以提高晶体直径预测的准确性。通过实际拉晶数据对模型预测结果进行验证,结果表明,对任意选取的8组拉晶数据进行直径预测,预测的平均相对百分比误差为0.095 71%,证明该模型对于等径阶段晶体直径的预测是可行的。  相似文献   
12.
单晶炉是一种在以高纯氩气为主的惰性气体环境中,用石墨热场加热,将多晶硅材料加以熔化,用直拉法生长单晶硅的设备,在太阳能单晶硅拉制的过程中,如何提高拉晶的速度和质量以及降低设备的能耗一直是单晶硅厂家永恒的追求。本文从机械结构的角度分析了坩埚上升在单晶炉拉晶过程中所造成的拉晶速度下降和额外能耗问题,在此问题的基础上提出了一种加热器随坩埚在拉晶过程中上升的单晶炉结构优化方法,并通过有限元仿真对单晶炉优化前后晶体和熔体的热场以及拉晶过程中加热器功率进行分析。结果表明,改进后的单晶炉不仅可以提高拉晶过程的稳定性和拉晶速度,从而进一步提高单晶炉的拉晶质量和产量,而且还能有效降低单晶炉拉晶的能耗。  相似文献   
13.
为了对铝合金板轧制技术发展提供依据,采用X射线衍射仪测试极图并使用专用软件计算织构的ODF,研究了热轧后经过454℃×4h预先再结晶退火处理的5052双履带连续冷却铸造铝合金板,进行不同变形量冷轧后自表层至心部层的织构分布状况。冷轧制后变形量小于40%的试样,存在织构强度由表层向中心层提高的变化梯度。变形量大于56.1%的试样,β织构的增加主要是来自剩余位向转变量随变形量的增加;主要织构β较强、Goss和剩余位向较弱,各层之间的织构状态接近。  相似文献   
14.
采用四孔玻璃管测量可溶性物质密度,有效地解决了同类实验中小钢球经常性卡在气孔处的现象,提高了实验的稳定性和可靠性.利用SPSS统计软件剔除了非简谐振动数据.  相似文献   
15.
基于Hamilton 原理,运用假设时间模态法,得到了弹性基础上压杆的横向非线性自由振动与屈曲的位移型常微分控制方程. 考虑一端固定另一端可移简支边界条件,采用打靶法得到了结构第一至第三阶结构频率与一阶屈曲载荷的数值结果. 结果表明:随轴心压力增加,结构频率减小;随弹性基础刚度增加,结构频率与屈曲载荷均增加;弹性基础刚度对结构频率的影响随振型阶数增加在减小;在小振幅的情形下,不同振型对一阶屈曲载荷的影响很小.  相似文献   
16.
采用共沉淀法合成了对甲基苯磺酸有机插层改性的镁铝水滑石,用XRD、FTIR、TG-DSC等技术表征产物特征.研究表明,合成的对甲基苯磺酸插层LDH物相纯净、结晶度高,层间无硝酸根,而且2:1型有更好的晶形;2:1型对甲基苯磺酸插层LDH在450-500℃层状结构逐渐被破坏,而3:1型在400-460℃0层状结构被破坏....  相似文献   
17.
分别从UV-O3照射ITO-PEN基板和低温烧结后光阳极薄膜两个角度,采用XRD、SEM、接触角测量仪等手段,系统的分析了UV-O3照射处理对光阳极光电性能的影响.研究表明:UV-O3照射处理能够改善基板表面的亲水性,提高了浆料在ITO-PEN基板表面的涂覆均匀性;同时UV-O3照射处理还可以有效的去除低温烧结后光阳极TiO2薄膜中残余的有机物,改善了光阳极TiO2薄膜的导电性及其内部不同粒径TiO2纳米颗粒之间的连接性,使电池的短路电流密度得到了提升,最终使得电池的光电转化效率由5.30;提高到了5.71;.  相似文献   
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