序加实验理论模型误差修正的研究

针对序进应力加速实验理论模型中数学算法的误差,提出一种新的计算模型,新模型利用计算机编程辅助计算,显著地减小了模型误差.利用新、旧模型算法对理论数据进行计算,表明原模型算法存在13%以上的激活能计算误差以及150%以上的寿命计算误差（Q≤10　eV）,而新模型算法可以将激活能误差控制在1%以内,寿命计算误差控制在-41%以内. 关键词： 加速实验 序进应力 理论模型 误差修正     

改进实验教学 提高教学质量

近年来,我们在改进化学实验教学,提高学生化学实验技能方面,采取了下述几点做法,收到了一定效果。     

关于初中化学第六章的教学

这学期我在讲授初中化学第六章的时候,采取了在边讲边实验的基础上,让学生同时进行分析、综合、比较和对照的教学方法,效果很好。采取这样的教学方法不仅可以使学生熟练地掌握实验技能,而且可以使学生自觉地、积极地把各类物质联系起来进行研究。因而使学生对各类物质理解得更透彻,对知识的掌握也就更加巩固。兹以我对硷类的教学法为例来加以说明:在讲“几种重要的硷”这一节时,我就利用边讲边实验积极地指导学生对氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙等物质同时依次的进行观察和实验,接着将观察和实验的结果进行分析、综合、比较和对照,使学生对这些知识能够彻底地理解和掌握。为了保证讲课的顺利,所以我在上课前先在小黑板上画下了为讲该节所需要的空白图表(见表1),并     

GaN基大功率白光LED的高温老化特性

对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验.经6500 h的老化,样品光通量退化幅度为28％ ～33％.样品的Ⅰ-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高.样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出...     

恒定温度应力加速实验失效机理一致性快速判别方法

针对加速实验中因失效机理发生改变而导致的无效实验问题, 对失效机理一致性和分别在不同应力下器件的初期退化参数分布的关系进行了研究. 研究证明了判断加速实验失效机理一致的条件: 1) 不同应力下失效分布的形状参数服从一致, 即m_i=m, i=1,2,3,···, 2) 尺度参数 η_i服从η_i= AF_i·η. 从而提供一种在实验初期即可根据参数退化分布快速判别不同应力下失效机理是否一致的方法, 避免了因失效机理发生改变而造成的无效加速实验. 最后对加速实验初期理论退化数据和多芯片组件厚膜电阻初期退化数据进行了威布尔分布参数估计, 并对其在不同应力下的失效机理一致性进行了判别. 关键词： 失效机理一致性 恒定温度应力加速实验 威布尔分布     

基于反应动力学的GaN LED参数退化模型的研究

加速实验中, 参数退化模型描述了参数的退化规律, 参数退化规律对应于器件退化机理, 而退化机理又对应于内部的物理化学反应. 因此, 本文基于反应动力学中物理化学反应的温度效应速率模型及反应量浓度随时间的变化规律, 研究并建立了GaN LED参数退化模型. 本模型尝试从物理机理上解释参数退化过程中的退化规律, 包括单调上升或单调下降退化规律、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化规律, 解决了实验后拟合方法不能建立非单调退化模型的问题. 然后对GaN LED进行加速实验, 确定模型参数. 同时对GaN LED的退化规律进行分解, 并且量化了GaN LED两种退化规律的退化比例及时间常数. 关键词： 参数退化模型 反应动力学 加速实验 GaN LED     

AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究

为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中, 不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例, 本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系, 建立了PHEMT栅电流参数退化模型. 利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律, 分析参数随时间的退化规律, 得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理, 并基于栅电流参数退化模型, 得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例. 关键词： PHEMT 栅电流 肖特基接触 退化模型     

The degradation and recovery properties of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors under direct current reverse step voltage stress

Direct current(DC) reverse step voltage stress is applied on the gate of an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor(HEMT).Experiments show that parameters degenerate under stress.Large-signal parasitic source/drain resistance(RS/RD) and gate-source forward I-V characteristics are recoverable after breakdown of the device under test(DUT).Electrons trapped by both the AlGaN barrier trap and the surface state under stress lead to this phenomenon,and surface state recovery is the major reason for the recovery of device parameters.     

加载功率与壳温对AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响

结温是制约器件性能和可靠性的关键因素, 通常利用热阻计算器件的工作结温. 然而, 器件的热阻并不是固定值, 它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化. 针对该问题, 本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对象, 利用红外热像测温法与Sentaurus TCAD模拟法相结合, 测量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加载功率以及管壳温度下热阻的变化规律. 研究发现: 当器件壳温由80 ℃升高至130 ℃时, 其热阻由5.9 ℃/W变化为6.8 ℃/W, 增大15%, 其热阻与结温呈正反馈效应; 当器件的加载功率从2.8 W增加至14 W时, 其热阻从5.3 ℃/W变化为6.5 ℃/W, 增大22%. 对其热阻变化机理的研究发现: 在不同的管壳温度以及不同的加载功率条件下, 由于材料导热系数的变化导致其热阻随温度与加载功率的变化而变化.     

烷基磷（膦）酸萃取剂钠盐与非离子表面活性剂AEO_9混合体系胶团的形成和分子间的相互作用

本文研究了烷基磷（膦）酸萃取剂钠盐ＮａＥＨＥＨＰ，ＮａＤＴＭＰＰ，Ｎａ_２（ＭＥＨＰ）与非离子表面活性剂ＡＥＯ_９以不同比例复配后水溶液胶团的形成及分子间的相互作用，结果表明混合胶团的形成使ＣＭＣ大大降低。分子间在胶团中的相互作用强弱为：Ｎａ_２（ＭＥＨＰ）体系＞ＮａＤＴＭＰＰ体系＞ＮａＥＨＥＨＰ体系，分子间在表面层的吸引作用小于同体系分子间在胶团中的相互作用，这一结果有利于混合胶团的形成。