一种变厚度的精化壳体理论及其应用

在Reddy型高阶壳体理论的基础上，采用沿壳体厚度方向的剪切应变呈抛物线分布并且能够满足在壳体的上下表面为零的假设，发展出了一种适合于对变厚度壳体进行非线性分析的方法。该方法利用Ritz原理得到问题的控制方程。通过对一种典型的变厚度壳体结构（子午线轮胎）的结构分析，该方法的计算结果与商用有限元软件的三维分析结果能够很好的吻合。表明了该方法的适用性和有效性。     

国际实验力学会议

美国实验应力分析学会(SESA)与日本机械工程学会(JSME)联合主办的实验力学会议于1982年5月23日至29日在夏威夷举行。来自美、日、中、英、法、加拿大、印度、瑞典、阿根廷、埃及等18个国家230名代表参加了大会。会上宣读的论文有200余篇,包括光弹性、电测技术、全息、散斑、云纹、声技术等基本方     

弹／粘塑性柱体扭转问题的函数Laplace变换解

在应力Ｌａｐｌａｃｅ变换分析粘塑性轴对称问题基础上，对弹性－弹／粘塑性圆柱体扭转全过程进行分析，根据柱体扭转的应力分布，构造应力函数与位移函数，并对函数进行Ｌａｐｌａｃｅ变换。相应求出圆柱体、空心圆柱体的Ｌａｐｌａｃｅ变换解，以及圆柱体的弹性－粘塑性交界线值     

用Laplace变换分析弹┐粘塑性梁的弯曲

在弹塑性梁弯曲变形理论基础上，本文用Ｌａｐｌａｃｅ变换进一步分析了弹－粘塑性梁的弯曲问题．并以矩形截面梁为例，说明弹－粘塑性梁弯曲时的弹性与粘塑性区的应力，梁的挠度及弹－粘塑性交线的计算     

液电冲击波的实验研究

本文用水下电火花微爆炸产生重复性极佳的球形冲击波,用双曝光全息干涉法测量了液电冲击波的传播,并观察到冲击波与水下电极之间的相互作用.实验结果表明此法适用于液电冲击波的测量,特别适用于由冲击波波前位移来确定其峰值压力分布.     

云纹干涉制栅新技术

本文介绍了两种新的光栅复制技术,它们具有快速、高质量、低成本、操作简单、使用方便、不需特殊仪器等特点.该技术从我国一般力学实验室条件出发,解决了试件栅制作困难,其中漆栅方法可极大地缩短云纹干涉方法的实验周期,该技术也为光栅测试技术的广泛应用提供了方便.     

电喷雾质谱在金属配合物研究中的应用

综述了电喷雾质谱(ESI-MS)在金属配合物分析中的应用,详细介绍了电喷雾质谱在测定金属配合物的分子量、表征金属配合物的结构、分析金属离子与配体的相互作用及相关机理等方面的研究进展.     

径向偏振光激发氧化石墨烯/金纳米棒复合基底的表面增强拉曼散射性能

探究径向偏振矢量光与氧化石墨烯/金纳米棒复合结构的相互作用,以提高表面增强拉曼散射性能。基于FDTD Solutions软件,得到氧化石墨烯/单金纳米棒复合基底在径向偏振光激发下的表面增强拉曼散射增强因子达到10~8,比相同条件下线偏振光激发的大6个数量级。这种性能提高的物理机制源于径向偏振光激发金纳米棒的电磁增强与氧化石墨烯产生的本征化学增强。进一步详细讨论了径向偏振光激发下氧化石墨烯厚度、金纳米棒数量和排列方式对表面增强拉曼散射性能的影响。基于径向矢量光场激发多功能基底的表面增强拉曼散射性能调控在生物化学、食品安全与传感检测等领域具有巨大的应用潜力。     

组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响

为探究不同铟(In)组分In_xGa_1-xN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响，本文采用SiLENSe(simulator of light emitters based on nitride semiconductors)仿真软件对一系列具有不同In组分In_xGa_1-xN势垒的激光二极管进行研究，结果发现In_xGa_1-xN势垒中In组分最佳值为3%,此时结构的斜率效率最高，内部光学损耗最低，光学限制因子最大，性能最优。在具有In_0.03Ga_0.97N势垒的多量子阱结构基础上，设计了一种组分阶梯(composition step-graded, CSG)InGaN势垒多量子阱结构，提高了激光二极管的斜率效率和电光转换效率，增加了光场限制能力。仿真结果表明，当注入电流为120 mA时，具有CSG InGaN势垒的多量子阱结构，电光转换效率从17.7%提高至19.9%,斜率效率从1.09 mW/mA增加到1.14 mW...     

GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展

GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。