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12.
一种基于新型小波包阈值的图像去噪方法 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种基于小波包理论去除图像噪声的方法,用小波包把图像分解为高频分量和低频分量,根据高频分量估计噪声的标准差,并利用该标准差以及Birge-Massart惩罚函数计算阈值.鉴于传统软硬阈值的缺陷,采用一种新型阈值量化方法,用三次多项式在硬阈值的基础上插值,使新的阈值函数保持了连续性和可导性.通过这种方法既消除了图像的振铃现象,又保留了细节成分.实验表明:与传统方法相比,新方法使图像视觉效果和峰值信噪比均获得提高. 相似文献
13.
14.
Effect of annealing on structural, optical and electrical properties of ZnS/porous silicon composites 下载免费PDF全文
ZnS films were prepared by pulsed laser deposition (PLD) on
porous silicon (PS) substrates. This paper investigates the effect
of annealing temperature on the structural, morphological, optical
and electrical properties of ZnS/PS composites by x-ray diffraction
(XRD), scanning electron microscope (SEM), photoluminescence (PL)
and I--V characteristics. It is found that the ZnS films deposited
on PS substrates were grown in preferred orientation along
β-ZnS (111) direction, and the intensity of diffraction peak
increases with increasing annealing temperature, which is attributed
to the grain growth and the enhancement of crystallinity of ZnS
films. The smooth and uniform surface of the as-prepared ZnS/PS
composite becomes rougher through annealing treatment, which is
related to grain growth at the higher annealing temperature. With
the increase of annealing temperature, the intensity of
self-activated luminescence of ZnS increases, while the luminescence
intensity of PS decreases, and a new green emission located around
550~nm appeared in the PL spectra of ZnS/PS composites which is
ascribed to the defect-center luminescence of ZnS. The I--V
characteristics of ZnS/PS heterojunctions exhibited rectifying
behavior, and the forward current increases with increasing
annealing temperature. 相似文献
15.
16.
17.
研究基于统计学习理论的支持向量机(SVM)回归在汛期旱涝预测中的应用.根据浙江省38个测站的降水量资料,用正态化Z指数对汛期旱涝等级进行划分,得到了能够反映全省旱涝状况的指标.以此指标作为预测量,通过相关分析从前期大气环流场、海温场中选取高相关预测因子,应用逐步回归和SVM回归技术分别建立浙江省汛期旱涝短期气候预测模型,并进行了对比分析.结果表明:SVM回归模型集中了众多预测因子的预测信息,有效地利用了支持向量机方法的非线性映射能力,无论在历史样本拟合的精度上还是模型实际预测的能力上都比传统的逐步回归方法有一定提高,具有较好的应用效果. 相似文献
18.
为了深入了解孔径和氧化程度对介电性能的影响, 通过分子动力学模拟的方法, 探究了水在不同孔径和氧化程度的双层石墨烯纳米通道中的介电行为. 实验结果表明, 在较窄的通道环境中, 水分子会表现出更强的有序取向, 受限水的介电常数随纳米通道空间的减小而减小. 随着氧化程度的增加, 较宽的层间距对介电常数的影响大于较窄的纳米通道. 对于最宽的通道(d=1.2 nm), 石墨烯双分子层内水的介电常数随氧化程度的增加而降低, 而对于相对较窄的通道(d=0.6, 0.9 nm), 介电行为呈现出非单调的趋势. 为了理解其背后的物理原因, 分别计算了3个纳米通道的氢键数量. 结果表明, 氢键数量以及动态稳定性(对应最快的衰减率)最低的是1.2 nm宽的纳米通道, 这表明水分子在大的纳米通道中更不稳定, 同时也比在0.6和0.9 nm的纳米通道中更无序. 相似文献
19.
20.