Stereodynamics of the reactions Ne＋H＋/Ne＋D2＋/Ne＋W2

The vector correlations between products and reagents for the reactions Ne＋H2＋, Ne＋D2＋, and Ne＋T2＋ are calculated by means of the quasi-classical trajectory method on a new potential energy surface constructed by Lfi et al, [J. Chem. Phys. 2010 132, 014303]. The polarization-dependent differential cross-sections （27π/σ）（dσ00/dωt）, （2π/σ）（dσ20/dwt）, （27π/σ）（dσ22＋/dwt）, and （2π/σ）（dσ21-/dwt）, and the distributions of P（θr）, P（φ）, and P（θr, Cr） are calculated. The isotopic effect, which is associated with the difference in mass factor among the three reactions, is revealed.     

LiF超薄层引起的OLEDs发光光谱展宽

将LiF插入到发光层Alq₃中,制备了有机电致发光器件(OLED),其器件的结构为:ITO/NPB (45 nm)/Alq₃ (x nm)/LiF (0.3 nm)/Alq₃ /Al(150 nm)。发现器件的电致发光谱(Electroluminescence spectra, EL)有非常明显的展宽现象,这为白光器件的制备提供了一条简单的途径。通过对比LiF在Alq₃中不同厚度处的发光谱,发现在x=10时谱线展宽最显著,器件最大亮度在22 V时达到8 260 cd/m²,最大效率可达 4.83 cd/A,并对其光谱展宽的机理及器件特性进行了分析。     

电子传输层PBD对Alq_3∶DCJTB电致发光器件的影响(英文)

以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。     

取代芳香醛缩芳香胺双席夫碱的合成及谱学性质

采用冰浴合成法合成了一系列席夫碱, 其中4种化合物为首次报道, 研究了其IR, 1H NMR波谱性质, 测定了它们在溶液中以及固态时的紫外吸收光谱和荧光光谱, 探讨了席夫碱类化合物分子结构与光谱之间的关系. 实验结果表明, 水杨醛上的邻羟基是席夫碱类化合物具有荧光性质必要条件; 极性溶剂中, 苯甲醛邻位和对位上OH的存在均可引起双席夫碱结构的变化.     

啁啾系数对飞秒脉冲的分裂及光谱性质的影响

利用预估校正-时域有限差分法求得不含慢变包络近似和旋转波近似的全波Maxwell-Bloch方程的数值解,在Λ型三能级原子介质中研究了啁啾系数C对传播中的飞秒Gauss型脉冲分裂情况及光谱性质的影响.结果表明:面积小于等于3π的啁啾脉冲在介质中不出现分裂,但脉冲啁啾会引起脉冲频谱的震荡;对于4π面积啁啾脉冲,啁啾系数C较小时脉冲在介质中发生分裂,C较大的脉冲不再产生分裂,即分裂的子脉冲数量减少;随着C增大,脉冲中心频率附近频谱震荡愈加剧烈,高频成分的范围及强度明显减小;对于大面积8π脉冲,脉冲分裂情况与4π情况相似,但随C增大,脉冲高频成分的范围和强度没有明显变化,而高频成分中的峰值分布却显著不同.     

基于径向希尔伯特变换的图像边缘增强特性研究

研究了基于螺旋相位频谱滤波器滤波的径向希尔伯特变换对不同边缘分布图像的增强特性.给出了拓扑荷n=1的有限孔径螺旋相位滤波器点扩散函数的解析表达式,并利用圆孔、汉字和人像等三幅不同边缘分布密度的图像进行了边缘增强的模拟计算.结果表明,基于螺旋相位频谱滤波的径向希尔伯特变换会使边缘增强图像具有立体浮雕效果,并且随着输入图像...     

电子传输层PBD对Alq3：DCJTB电致发光器件的影响

以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。     

OLED电子传输材料研究进展

有机电致发光（OLED）是目前最有竞争力的显示技术,市场占有量逐年攀升。高效、稳定的OLED,特别是深蓝光器件,性能仍需提升,其关键问题是高性能的电子传输材料的研发。这是由于有机分子难以获得较高电子迁移率,器件中的复合区域通常靠近电子传输层一侧,这就要求电子传输材料需要具有较高三线态能级来限域激子,尤其是高能量的蓝光激子。而高三线态（弱共轭）和高迁移率（强共轭）一直是有机分子设计中难以调和的矛盾,此外更宽的带隙也会导致较差的热稳定性,这些难题始终限制着OLED电子传输材料的发展。本文分类介绍了高性能的电子传输材料所需要具备的几点特性,包括热稳定性、光化学稳定性、电子迁移率、前线轨道能级和三重态能级等,并且综述了21世纪以来OLED小分子电子传输材料的重要研究进展,以期对未来开发理想的电子传输材料提供参考。     

PBD在稀土配合物与PVK混合体系电致发光中的作用

研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)₃phen]₂·2H₂O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件：ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK：Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,一个是由PVK到铽配合物的能量传递,另一个是电子和空穴在铽配合物上直接复合发光。改变PBD在发光层中的掺杂比例,制得一系列器件,通过对其光谱和亮度的研究,发现PBD在较低浓度掺杂时器件的稳定性和亮度随掺杂浓度的增加而降低。通过分析认为PBD的加入对给体(PVK)到受体(Tb complex)的能量传递效率影响较小,主要是由于PBD的加入使得电子和空穴在PVK链间的跳跃受到限制,使在由PVK、铽配合物和PBD三者掺杂组成的发光层中,注入的电子和空穴不能有效地在铽配合物上复合,这样就会减少激子在铽配合物上直接复合的概率,而造成器件的亮度和效率降低。     

红外光学系统的污染镜面杂散辐射分析

以卡塞格伦结构为例,利用ASAP光学分析软件,建立了红外光学系统的三维仿真模型,在光学元件表面存在均匀分布和非均匀分布的微粒污染情况下,对红外光学系统的杂散辐射特性进行了仿真和比较分析,对影响系统杂散辐射特性的主要因素进行了讨论,并对系统中机械元件的杂散辐射路径进行了分析。在此基础上,采用有效发射率对系统的杂散辐射性能进行了评价,讨论了镜面污染程度对红外光学系统杂散辐射性能的影响。