聚烯丙胺改性磺酸催化剂催化苯甲酸正丁酯的合成

发展聚合物载体催化剂是有效解决催化剂利用及绿色合成化学的重要课题。烯丙胺盐酸盐作为单体在引发剂作用下聚合得到聚烯丙胺,通过环氧氯丙烷进行交联得到交联的聚烯丙胺盐酸盐。以交联聚烯丙胺作为载体,通过与氯磺酸反应,制备了高负载的固体磺酸催化剂。交联聚烯丙胺磺酸催化剂在150℃以内均是稳定的,表现出良好的热稳定性。该催化剂被用于催化苯甲酸与正丁醇反应制备苯甲酸正丁酯。反应的最佳条件为丁醇与苯甲酸（BA）的摩尔比为2∶1,催化剂用量为20 g/mol BA,反应温度为120℃,反应时间为6 h;苯甲酸的酯化率为95%。该催化剂可以重复利用多达4次而保持较高的催化性能。     

形貌可控ZnO微纳米结构的水热合成及光催化性能

以乙醇胺为辅助溶剂,采用水热合成法,制备了花状、梭状和剑状的ZnO微纳米结构。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)和拉曼光谱等测试手段对样品的形貌、结构、晶相等进行了表征。结果表明所有样品均为六方纤锌矿结构ZnO;其形貌和结晶度可通过改变物质的量的配比nZn2+/nOH-来调控。探讨了反应物配比对产物形貌结构的影响,乙醇胺对不同形貌ZnO的制备起到至关重要作用。以亚甲基蓝为目标降解物,采用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)并结合低温氮吸附-脱附比表面测试(BET),研究了花状、梭状和剑状ZnO的光催化活性。结果表明,与商用ZnO相比,制备的ZnO具有更好的光催化活性;样品催化活性与其比表面积不成正比,具有最小比表面积的花状ZnO拥有最好的光催化活性,这可能是由于其低的结晶度和特殊的花状形貌所致。     

科学推理能力在物理问题表征过程中的作用

选取了广州市某普通中学高一年级学生作为研究对象, 以《 L a w s o n ′ sC l a s s r o o m T e s to fS c i e n t i f i c R e a s o n i n g》和自编的《 高一学生物理问题表征能力测试量表》为测量工具, 对高一学生的科学推理能力和物理问题 表征能力进行测试. 结果发现, ( 1)科学推理能力与物理问题表征能力整体不相关; ( 2)科学推理能力( 高级变量控 制能力和相关性思维能力)对物理问题表征过程存在显著影响     

双波长高效液相色谱法同时测定对二甲苯及其氧化产物

采用双波长高效液相色谱法同时测定对二甲苯及其氧化产物的含量。通过二极管阵列检测器进行光谱扫描,选择在210nm下检测对甲基苯甲醇和对二甲苯,在254nm检测其余物质。优化了流动相及其梯度洗脱程序,将流动相乙腈比例降至20%~30%,各色谱峰能实现较好的分离。采用液相色谱法和气相色谱-质谱法研究了溶剂对对羧基苯甲醛和对甲基苯甲醛的影响。对羧基苯甲醛和对甲基苯甲醛可与溶剂甲醇反应生成缩醛。方法的检出限(3S/N)为0.07~0.8mg·L-1。各物质的回收率在99.2%~100%之间,相对标准偏差(n=6)小于2.5%。     

狭义相对论学习中学生的错误理解研究概述

狭义相对论作为经典物理与近代物理的分水岭,对学生认识科学本质具有深远的影响.然而实际教学与研究显示,学生对狭义相对论存在许多错误理解.为了解决这一问题,本文梳理了国内外关于狭义相对论学习的相关研究.根据狭义相对论的知识框架,总结了学生在狭义相对论学习中普遍存在的错误理解,并分析其背后的原因,以期为未来狭义相对论的教学与研究提供借鉴.     

Effect of SiN:H_x passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs

This paper concentrates on the impact of SiN passivation layer deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on the Schottky characteristics in GaN high electron mobility transistors(HEMTs). Three types of SiN layers with different deposition conditions were deposited on GaN HEMTs. Atomic force microscope(AFM), capacitance-voltage(C-V), and Fourier transform infrared(FTIR) measurement were used to analyze the surface morphology, the electrical characterization, and the chemical bonding of SiN thin films, respectively. The better surface morphology was achieved from the device with lower gate leakage current. The fixed positive charge Q_f was extracted from C-V curves of Al/SiN/Si structures and quite different density of trap states(in the order of magnitude of 1011-1012 cm~(-2)) was observed.It was found that the least trap states were in accordance with the lowest gate leakage current. Furthermore, the chemical bonds and the %H in Si-H and N-H were figured from FTIR measurement, demonstrating an increase in the density of Q_f with the increasing %H in N-H. It reveals that the effect of SiN passivation can be improved in GaN-based HEMTs by modulating %H in Si-H and N-H, thus achieving a better Schottky characteristics.