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2
11.
离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究
总被引:1,自引:0,他引:1
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臧航
王志光
庞立龙
魏孔芳
姚存峰
申铁龙
孙建荣
马艺准
缑洁
盛彦斌
朱亚滨
《物理学报》
2010,59(7):4831-4836
室温下,用80 keV N
+
和400 keV Xe
+
离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×10
14
—1.0×10
17
/cm
2
和2.0×10
14
—5.0×10
15
/cm
2
.利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随离子注入剂量的变化规律.实验结果发现,未进行离子注入的样品在99,435 cm<
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