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针对多碱光电阴极进行了理论建模和性能模拟,采用层状模型:Na2KSb+K2CsSb+Sb·Cs偶极层,讨论了各层厚度、掺杂离子浓度对多碱阴极能带以及光谱响应特性的影响,结果显示表面K2CsSb和Sb·Cs两层的n型掺杂较高时,能够有效降低表面亲和势,有利于光电子的输运以及逸出。Na2KSb的掺杂离子浓度并非越高越好,主要原因是掺杂离子浓度影响着内建电场强度与范围,内建电场增大使电子扩散距离增加,有更高的几率到达阴极表面,在掺杂离子浓度为1016 cm-3左右时可获得最高灵敏度。分析了厚度对阴极灵敏度的影响,对于特定波长入射光,存在最佳厚度使对应波长的灵敏度最高,且由于内建电场的影响,不同掺杂离子浓度会使最佳厚度有所不同,当内建电场较强时,阴极的最佳厚度增大。对700nm入射光,在掺杂离子浓度为1017 cm-3以及1016 cm-3时,最佳厚度分别为80nm和200nm。 相似文献
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无膜微通道板第三代像增强器的可行性及技术途径探究 总被引:2,自引:0,他引:2
砷化镓光阴极的量子效率大大优于超二代多碱光阴极,但由于微通道板(MCP)输入面上的离子阻挡膜的存在,第三代像增强器,即使是薄膜第三代像增强器,相比于同时期技术水平的超二代像增强器,在标准测试条件下的信噪比和分辨力等参数上并无明显优势。通过引入MCP噪声因子的概念,对像增强器光阴极量子效率的有效利用率进行了评价。强调了实现无膜MCP第三代像增强器的必要性,并指明了目前的无膜MCP第三代像增强器开发中所存在的问题,对改善MCP耐电子清刷除气能力及进一步地减少MCP中的有害物种含量的有效方法进行了研究,进而明确了实现高可靠性高性能无膜MCP第三代像增强器的可行性和有效技术途径。 相似文献
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合成了一个新的4,6-二甲基-2-嘧啶硫乙酸与铜的双核簇合物[Cu2(dmpytaa)4(CH3OH)2]·3CH3OH(Hdmpytaa=4,6二甲基2嘧啶硫乙酸),通过X射线衍射、红外光谱、紫外光谱、热重分析对其进行了结构表征。该晶体属于三斜晶系,空间群P1-,晶胞参数:a=509(3),b=13.526(3),c=15.396(3),α=70.68(3)°,β=68.82(3)°,γ=88.73(3)°,V=2460.3(9)3,μ=1.100mm-1,Dc=1.453gcm3,F(000)=1120,R=0.0537,wR=0.1227(I>2σ(I)),6942个可观察衍射点。该双核分子中两个中心金属Cu原子均处于扭曲的八面体构型中心,并分别与来自四个不同羧酸配体上的羧基氧原子,一个溶剂甲醇分子中的氧原子,以及相邻的一个Cu原子配位。 相似文献