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β-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料,颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界面失配度的有效途径.利用射频磁控溅射法在单晶Si基体上沉积Fe/Si多层膜,合成纳米β-FeSi2/Si多层结构.通过透射电子显微镜、高分辨电子显微术等分析手段,研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系.研究结果表明,采用磁控溅射Fe/Si多层膜的方法,不需要退火就可以直接沉积得到β-FeSi2相小颗粒.β-FeSi2相
关键词:
2')" href="#">β-FeSi2
磁控溅射
透射电子显微镜
半导体薄膜 相似文献
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为了探索超声光栅法测定电解质溶液浓度的规律,测量未知的电解质溶液浓度,验证超声光栅仪器的稳定性;在温度为17.0℃下,配置不同浓度的氯化钠电解质溶液,用超声光栅法测量氯化钠电解质溶液的浓度;测得的超声波速度与溶液浓度呈良好的线性关系,超声波速度随着溶液浓度增加而增加;用oringin8.0进行曲线拟合和线性回归分析,超声波传播速度与电解质浓度线性关系显著,得到线性回归方程,其可信度相关系数r=0.997 3;用未知浓度的氯化钠电解质溶液检验回归方程,测得结果与真实值相对误差较小,验证了回归方程准确性。 相似文献
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建立并研究了具有营养循环和时滞的浮游动植物模型,模型中描述浮游动植物间的相互作用函数是Holling-Ⅲ型功能反应函数.首先讨论了模型解的正性及有界性,然后分析了系统在无时滞和有时滞两种情况下边界平衡点和正平衡点的局部稳定性,并通过建立适当的Lyapunov函数,讨论了平衡点的全局稳定性.研究表明,随着时滞的增加,系统会出现Hopf分支. 相似文献
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文献合成并研究了一系列发光材料(Ph2Bq-x2) [x2=5,7-dibromo(1); 5,7-diphenyl(2); 5,7-bis(biphenyl-4-yl); 5,7-bis(9,9-dihexylfluoren); q=8-quinolinelate]。结果显示,在强吸收峰处,随着配体共轭链的增长,光谱发生明显红移。这里,用di(p-nitrostyryl) (3) 和 distyryl (4) 来分别取代bis(biphenyl-4-yl) 和 bis(9,9-dihexylfluorenyl)。用密度泛函理论和含时密度泛函理论来研究并比较了四个分子的电子结构和光谱性质。计算结果表明简单的取代基仍然可以产生从1到4的红移。此外,3和4 在吸收峰的位置具有比1和2大的振子强度,这将增加电子从基态到激发态的跃迁几率,较高的向激发态的跃迁几率意味这强的发射强度。 相似文献
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肌球蛋白Ⅱ缺失细胞胞质分裂机制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
哺乳动物细胞胞质分裂过程中伴随着一系列形态学改变,随着分裂沟不断收缩,形成连接两个子细胞的细胞间桥.间桥不断拉长、变细,直至断裂、生成两个子细胞.采用细胞力学和形态学测量及分析方法,通过施加肌球蛋白Ⅱ抑制剂,定量研究了NRK细胞间桥变细动力学;采用细胞免疫荧光技术,检测了早期胞质分裂肌动蛋白的分布,揭示肌球蛋白Ⅱ缺失细胞胞质分裂可能的机制.结果表明:施加肌球蛋白Ⅱ抑制剂的NRK细胞,其整体形态学和细胞间桥形态学曲线明显不同于0.3%DMSO组.根据流体力学特性和所测量的力学参数对曲线进行模拟发现,表面张力对肌球蛋白Ⅱ抑制组细胞的间桥动力学曲线轨迹影响很大.研究结果提示由细胞力学特性决定的拉普拉斯压力和细胞运动共同参与了肌球蛋白Ⅱ缺失细胞胞质分裂的调节. 相似文献
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采用前交叉韧带切断术造骨关节炎(OA)动物模型,并采用微管吸吮技术和标准线性
黏弹性固体模型研究正常及OA软骨细胞的黏弹性特性. 实验研究表明:OA软骨明显退变,
大体评分及Mankin's评分均明显高于正常软骨. 正常软骨细胞直径与OA软骨细胞直径的差异无显
著意义,而正常软骨细胞与OA软骨细胞的黏弹性特性存在明显差异,正常软骨
细胞的平衡模量E , 瞬间模量E0及表观黏性
明显高于OA软骨细胞. 除正常软骨细胞平衡模量E 仅与细胞直径有微弱
相关性且具有统计学意义外,其余黏弹性参数均与细胞直径以及其
直径和微管直径比率无相关性. 相似文献
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用含Cn+和H+、加速电压250 kV、脉冲宽度70 ns、束流密度160 A/cm2的强流脉冲离子束辐照DZ4合金,辐照次数分别为2,5,10,15。实验结果表明:辐照后样品的表面出现了熔坑,多次脉冲辐照后样品的表面熔坑边缘模糊甚至消失。近表面存在厚1~2 mm的重熔层,晶粒较细,晶界模糊;熔坑周围富集Cr和Mo等元素;强流脉冲离子束辐照处理后DZ4合金的耐腐蚀性能明显提高,腐蚀速率下降,这是由于辐照减弱了由于晶界和晶粒本体的成分差异而引起的晶界腐蚀;同时离子束辐照后的DZ4合金在高温氧化时更容易形成一层连续的保护性氧化物,其主要成分是致密的Al2O3,使得DZ4合金的耐高温氧化性能也有所改善。 相似文献
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二元β-FeSi2是-种非常有潜力的环境友好型半导体,但由于是线性化合物,所以很难制备较高质量的β单相.本文从β-FeSi2相的基本团簇出发,利用“团簇+连接原子”结构模型,设计制备了Fe3SisM(M=B,Cr,Ni,Co)系三元薄膜.研究了Fe3Si8M系三元薄膜的结构、成分和光电特性.结果表明,溅射态薄膜都为非晶态,经850℃/4h退火后可全部转换为晶态,引入的第三组元M不同会影响退火后的相转变和结晶质量,Cr和B为第三组元时可实现单-β相,Co作为第三组元时,薄膜以Ⅸ相为主表现为金属特性.B,Cr和Ni作为第三组元的样品中半导体性质都有不同程度的体现,但相比较而言,Fe2.7Si8480.9薄膜的半导体性能最为明显,其电阻率为0.17Ω.cm、载流子浓度为2.8×10^20cm^-3、迁移率为0.13cm2/V.S,带隙宽度约为0.65eV.所以引入合适的第三组元可以扩展序相相区,并实现晶态三元β型硅化物薄膜与二元β-FeSi2薄膜的半导体性能相近. 相似文献