全文获取类型
收费全文 | 9685篇 |
免费 | 1745篇 |
国内免费 | 1370篇 |
专业分类
化学 | 3987篇 |
晶体学 | 145篇 |
力学 | 894篇 |
综合类 | 284篇 |
数学 | 934篇 |
物理学 | 6556篇 |
出版年
2024年 | 51篇 |
2023年 | 217篇 |
2022年 | 254篇 |
2021年 | 259篇 |
2020年 | 190篇 |
2019年 | 231篇 |
2018年 | 153篇 |
2017年 | 239篇 |
2016年 | 292篇 |
2015年 | 331篇 |
2014年 | 834篇 |
2013年 | 534篇 |
2012年 | 638篇 |
2011年 | 723篇 |
2010年 | 582篇 |
2009年 | 731篇 |
2008年 | 928篇 |
2007年 | 624篇 |
2006年 | 606篇 |
2005年 | 630篇 |
2004年 | 714篇 |
2003年 | 488篇 |
2002年 | 402篇 |
2001年 | 383篇 |
2000年 | 233篇 |
1999年 | 168篇 |
1998年 | 203篇 |
1997年 | 131篇 |
1996年 | 138篇 |
1995年 | 124篇 |
1994年 | 136篇 |
1993年 | 116篇 |
1992年 | 127篇 |
1991年 | 74篇 |
1990年 | 88篇 |
1989年 | 121篇 |
1988年 | 30篇 |
1987年 | 23篇 |
1986年 | 11篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 15篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 27 毫秒
11.
12.
随着光学测量与遥感领域的不断发展,折反式光学系统对重量、体积和环境适应性等需求不断提高。基于增材制造技术的金属反射镜以其便于实现优化设计、快速制造和加工工艺性好等优点,逐渐获得国内外学者的关注与研究。与传统金属反射镜相比,增材制造金属反射镜可以提高反射镜的结构刚度,同时可实现更高程度的轻量化。增材制造反射镜可以满足光学系统对环境适应性和快速性的需求。本文首先讨论了金属反射镜的评价指标;其次,综述了国内外在基于增材制造技术制备金属反射镜领域的发展现状和技术参数,从增材制造金属反射镜的基体设计与制备和基体的后处理2个方面展开论述;然后,通过分析,总结了增材制造金属反射镜的技术路线和关键技术;最后,对增材制造反射镜的应用前景提出了展望。 相似文献
13.
目前,针对空间电磁场作用有耗介质层上传输线的电磁耦合,仍缺乏有效的数值分析方法.因此,本文提出一种高效的时域混合算法,很好地解决了有耗介质层上传输线电磁耦合建模难的问题.首先,对经典传输线方程进行改进,推导了适用于有耗介质层上多导体传输线电磁耦合分析的修正传输线方程.然后,结合时域有限差分方法和相应插值技术,求解修正传输线方程,获得多导线及其端接负载上的电压和电流响应,并实现空间电磁场辐射与多导线瞬态响应的同步计算.最后,通过相应计算实例的数值模拟,与CST软件的仿真结果进行对比,验证了时域混合算法的正确性和高效性. 相似文献
14.
15.
本文,我们结合统计过程控制方法,使用一种新的统计量用于在样本数量不充足的情况下监测高维数据。统计量利用样本协方差规范化技术避免协方差矩阵的奇异性,同时采用软阈值技术来挑选多维数据中重要的维度进行监测以减少监测噪音。本文在提出统计量后用matlab随机产生各种维度的高维数据样本进行仿真分析,并将该统计量与基于Hotelling T~2并采取广义逆矩阵的统计量进行比较。结果表明,本文使用的统计量的监测效果优于采取广义逆矩阵的方法。本文提出的方法可以应用于多指标产品生产的快速异常检测,特别是难以得到大量检测数据的产品,如检测需要破坏产品本身或者检测成本太高的产品。 相似文献
16.
17.
18.
超高压技术主要是研究如何能产生超高压以及物体在超高压状态下的物理性质改变的一门学科,是产生新材料和制造人造金刚石的主要技术.我国在超高压设备上仍然落后于外国的技术,大部分超高压设备需要从外国进口.由于外国各厂家对超高压设备的核心技术十分保密,因而不能借鉴和参考国际上的研究成果,我国对超高压设备的需求又逐年递增,因此我国对超高压设备的研究与改进迫在眉睫.本文通过对现在国内外各种超高压设备进行分析和总结,从承压能力、适用领域等多方面进行介绍,对各种超高压设备进行优劣势分析,并且对超高压设备的发展方向做出了展望. 相似文献
19.
20.
GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能.为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响.以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶.利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污. 相似文献