L-苹果酸脲光学晶体的台阶生长机制

L-苹果酸脲是一种新型的有机非线性光学晶体,具有广阔的应用前景.研究表明,L-苹果酸脲晶体在乙醇介质中生长时,晶体形态为棱柱形.L-苹果酸脲晶体生长呈现明显的台阶生长,当过饱和度比较低时,其台阶生长机制为螺旋机制;当过饱和度较大时,L-苹果酸脲晶体台阶生长机制为二维成核机制.     

新型有机非线性光学晶体-L-苹果酸脲晶体生长的初步探讨

本文初步探讨了新型非线性光学晶体-L-苹果酸脲的晶体生长,研究结果表明,L-苹果酸脲晶体在甲醇、乙醇和水三种介质中的溶解度温度系数均较大,同温度下L-苹果酸脲晶体在水中的溶解度最大,无水甲醇次之,无水乙醇中最小.L-苹果酸脲晶体在无水甲醇中的成核自由能比在无水乙醇中的低得多,因此在无水甲醇中易于成核,晶核数多,晶体尺寸小,而在无水乙醇介质中,虽然成核相对比较困难一些,但有利于制备大的单晶,且发现低温有利于大晶体的生长.因此宜选择无水乙醇为晶体生长介质.L-苹果酸脲晶体在介质中以非均匀成核方式在试管壁成核长大,晶体呈棱柱状,生长过程中呈现台阶生长的特征.     

魔芋葡甘聚糖／SiO2纳米复合物的制备与表征

用纳米SiO2为原料,以魔芋葡甘聚糖(KGM)为基体,采用共混法制得KGM/SiO2纳米复合物。通过傅立叶红外光谱(FTIR)、热重分析(TG)、透射电镜(TEM)等手段对该体系进行了表征。结果表明:由于纳米SiO2粒子的引入,KGM分子FTIR的某些特征峰的波数发生明显变化;纳米SiO2在复合物中的分散性较好;复合材料的热稳定性高于KGM薄膜;此外,复合材料的力学性能有所提高。     

石墨烯基纳米复合物修饰印刷电极伏安法测定水中镉

构建了基于石墨烯(GS) -纳米金(Au)复合纳米微粒修饰印刷电极(SPCEs)的电化学传感器(SPCEs |GS/Au),建立了微分脉冲溶出伏安(DPSV)法测定水中痕量镉的电分析方法.采用扫描电镜(SEM)对电极表面进行了表征,DPSV法研究了镉的电化学性质.在优化实验条件下,溶出峰电流与Cd2+的质量浓度在2.5...     

基于闪耀光纤光栅的折射率传感技术实验研究

提出了一种基于闪耀光纤光栅传感技术的折射率测量新方法,即采用SLED作为光源,通过检测闪耀光纤光栅透射谱强度实现折射率的测量.实验证明,当环境折射率在1.372 3~1.453 2之间变化时,闪耀光纤光栅透射功率从0.611~0.472 mW线性下降,其灵敏度达到1.718 μW/（0.001折射率变化）.该检测方法具有结构简单、无需波长检测、灵敏度高、易于工程化等优点.     

柠檬酸废渣制备硫酸钙晶须的研究

硫酸钙晶须是具有良好的力学性能和广泛应用前景的增强材料,利用柠檬酸废渣制备硫酸钙晶须,不仅可以生产出具有较高利用价值的材料,而且大大降低了成本并处理了废渣,起到"变废为宝"的作用.本文针对硫酸钙难溶的特性,采用了水热合成法成功制备了硫酸钙晶须,并讨论了多种因素对其影响,初步探讨了其生长机理,为其工业化生产提供理论基础.     

一步水热法在Al掺杂ZnO纳米盘上可控自组装合成ZnO纳米棒阵列

通过简单的水热合成路线,在没有模板、表面活性剂的作用和未处理的基底上合成出铝掺杂ZnO 纳米盘,并以纳米盘为基底自组装合成了ZnO纳米棒阵列.扫描电镜(SEM)观察到铝掺杂ZnO纳米盘的厚度为 200 nm,纳米盘的尺寸约为2 μm;纳米棒的直径约为150 nm,长约1.5 μm.通过不同生长阶段的形貌变化探讨了ZnO纳米结构的形成机理,表明自组装过程存在两个成核阶段.另外, 研究了铝离子掺杂对样品光致发光性质的影响.     

惩罚框架下求解广义Nash均衡问题的分解算法

广义Nash均衡问题(GNEP),是非合作博弈论中一类重要的问题,它在经济学、管理科学和交通规划等领域有着广泛的应用.本文主要提出一种新的惩罚算法来求解一般的广义Nash均衡问题,并根据罚函数的特殊结构,采用交替方向法求解子问题.在一定的条件下,本文证明新算法的全局收敛性.多个数值例子的试验结果表明算法是可行的,并且是有效的.     

Optoelectronic characterisation of an individual ZnO nanowire in contact with a micro-grid template

Optoelectronic characterisation of an individual ZnO nanowire in contact with a micro-grid template has been studied.The low-cost micro-grid template made by photolithography is used to fabricate the ohmic contact metal electrodes.The current increases linearly with the bias,indicating good ohmic contacts between the nanowire and the electrodes.The resistivity of the ZnO nanowire is calculated to be 3.8 ·cm.We investigate the photoresponses of an individual ZnO nanowire under different light illumination using light emitting diodes(λ = 505 nm,460 nm,375 nm) as excitation sources in atmosphere.When individual ZnO nanowire is exposured to different light irradiation,we find that it is extremely sensitive to UV illumination;the conductance is much larger upon UV illumination than that in the dark at room temperature.This phenomenon may be related to the surface oxygen molecule adsorbtion,which indicates their potential application to the optoelectronic switching device.