用氨气敏电极测定瘤胃液中的氨氮含量

本文报道采用ORION 940型离子酸度计,95-12型氨气敏电极,用直接测定法,快速、简便、精确地测定了山羊瘤胃液中的氨氮含量。     

铌酸锂晶体中的分形几何观察

研究了铌酸锂晶体沿c轴的真实生长界面及腐蚀坑模式,在两种情况中均观察到了明显的塞尔宾斯基(Sierpinski)三角垫分形几何特征,两种情况的分形维度通过计算得出均为ln3/ln2≈1.58.     

对同成分LiNbO3:Fe非挥发全息存储的研究

我们以双中心模型为基础,理论研究了同成份掺铁铌酸锂晶体在稳态情况下的非挥发双色二步全息存储性能.我们考虑了在深(Fe2+/Fe3+)、浅(NbLi4+/NbLi5+)能级之间所有可能的电子交换过程,通过比较深浅能级上的空间电荷场及总的空间电荷场的强度可以发现,深能级上的空间电荷场对总的空间电荷场的大小起到了非常重要的作用.此外,我们还研究了不同实验条件对LiNbO3:Fe非挥发全息存储的影响.     

光折变Fe:LiNbO3晶体中质子与热激发电子之间的竞争

研究了Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变性能随晶体温度变化的动态性质,实验结果显示,质子与热激发电子之间存在着强烈的竞争,在较低的温度下（低于１２０℃）,在晶体光折变响应时间内,质子对晶体的光折变性能的很小,而电子的热激发速率Ｂ随晶体温度的变化将是影响晶体光折变性能的主要因素;而在较高温度时（高于１２０℃）,质子地迁移率的增大而开始显著地影响晶体的光折变性能。     

光波位相耦合色散效应与固态介质中室温下的光速调控

文章介绍了作者利用光波位相耦合的色散效应调控光速的新机制，并利用光折变位相耦合的色散效应在室温下在Bi12SO20晶体中实现极慢光速和超光速现象．进一步的研究表明，在Bi12SO20晶体中传播的、由位相耦合色散效应引起的慢光和快光由于光折变光强耦合效应而得到了相干放大．     

在LiNbO_3∶Fe晶体中写入与存储圆形和环形波导

在光生伏打、自散焦光折变介质ＬｉＮｂＯ３∶Ｆｅ晶体中写入并存储了圆形与环形波导，并观察到了环形波导之间的相互作用．这种写入波导的方法和技术具有良好的应用前景．     

Group Velocity Reduction of Light Pulses in Photorefractive Two-Wave Mixing

We show theoretically that the group velocity of light pulses can be reduced significantly by use of the steep dispersion properties of the phase coupling effect in the photorefractive two-wave mixing process. The group velocity of light pulses of the order of 0.1 m/s can be achieved in typical photorefractive BSO crystals with an appropriate externally applied electric field and moving gratings of appropriate speeds. It is also shown that the slowly propagating light pulses can be set to be amplified after passing through the photorefractive material.     

固体介质中的电磁感应透明效应及其应用

电磁感应透明技术不仅能够改变物质对光场的响应，而且能够调控光场本身的性质．文章介绍了电磁感应透明效应的基本原理，电磁感应透明现象在各种固体介质中的实现，比较了这些固体介质的特性，并讨论了由电磁感应透明现象所产生的各种效应及其应用．     

基于Bayes统计的蔬菜产品质量安全监控系统研究

利用中山市蔬菜产品抽样检测数据,运用Bayes统计方法,建立了蔬菜产品污染指数:并根据休哈特控制图原理,确定μ、μ+2σ、μ+3σ三条监控限,将蔬菜产品质量安全状况水平分成"优秀"、"良好"、"轻度污染"、"污染"四个监控区域,建立蔬菜产品质量安全监控图。为广大市民、政府部门、农产品市场和生产部门提供及时的蔬菜产品污染水平和质量状况信息。     

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5 mol.%的晶体中可达到11 cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的. 关键词： 掺杂 铌酸锂晶体 非挥发 全息存储