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内螺纹通常是机械零件的疲劳强度薄弱部位。由于螺纹建模困难、计算量极大而且不容易收敛,工程上普遍采用无螺纹的简化模型进行仿真。简化模型的缺点是无法反映螺纹根部应力集中,所以应力结果是不正确的。针对此问题,提出一种基于简化模型仿真的内螺纹根部应力分析方法,该方法把内螺纹根部的应力分解成近源应力分量和远源应力分量,并根据它们的特点提出近源应力转换矩阵、远源应力转换矩阵的概念以及获取方法,利用这两个矩阵可以将简化模型仿真结果转换为近源应力和远源应力,然后叠加得到螺纹根部的最大应力。计算结果显示,内螺纹应力转换法基本上达到了三维细节模型的有限元计算精度,尤其是在疲劳强度薄弱部位即孔底端第一扣啮合螺纹根部,两种方法的结果吻合良好,证明了内螺纹应力转换法的精确性和有效性。 相似文献
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利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,在100~5000eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势,对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算,并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。得出如下结论:①对大多数散射体系而言,仅当入射能量E≥100eV时,计算结果即与实验结果符合得较好,少数较复杂的体系,当E≥200~300eV时,也能与实验结果符合得较好。但采用未修正的复光学势进行计算,仅当E≥500~800eV时才与实验结果符合得较好,不少体系只有在E≥1000eV时才能得到较好的结果。这说明本修正是成功的;②在较高的能量下,对于同类型分子构成的散射体系,在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比,且电子数越多,其线性度也就越好;③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE^-b的关系。②与③相结合,可推算出一些复杂分子的总截面。 相似文献
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慢电子与H2O分子弹性碰撞截面的计算 总被引:2,自引:2,他引:0
我们用H_2O分子的单中心类氖波函数推导了投射电子与H_2O分子之间相互作用势的解析表达式,其中包含了投射电子与H_2O分子间的静电库仑相互作用、极化作用及交换作用。我们应用上述解析表达式计算了投射电子在H_2O分子场中运动的畸变波函数、分波相移(l≤5)分波截面、总截面,动量转移截面及微分散射截面。 相似文献
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对类锌等电子序列ZnI-SnXXI离子n=4Complex组态的能级结构和组态相互作用进行了理论分析。通过分析HXR方法理论计算值与实验值之差ΔE随Zc的变化关系,找出了用于最小二乘拟合计算的半经验拟合方式,用此公式预测了CdXIX-InXX离子n=4Complex中至今还没有实验值的部分能级。给出了4s^2-4s4p,4s4p-4s4d跃迁波长和相应的HXR方法计算的振子强度,同时也对预测能级值 相似文献
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The potential energy function of nitrogen dioxide with the C2v symmetry in the ground state is represented using the simplified Sorbie-Murrell many-body expansion function in terms of the symmetry of NO2. Using the potential energy function, some potential energy surfaces of NO2(C2v, X^-^2A1), such as the bond stretching contour plot for a fixed equilibrium geometry angle θ and contour for O moving around N-O (R1), in which R1 is fixed at the equilibrium bond length, are depicted. The potential energy surfaces are analysed. Moreover, the equilibrium parameters for NO2 with the C2v, Cs and Dsn symmetries, such as equilibrium geometry structures and energies, are calculated by the ab initio (CBS-Q) method. 相似文献
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运用时域有限差分(FDTD)方法数值研究了一种亚波长之字形金属-绝缘体-金属(MIM)等离子波导结构的传输属性。之字形波导在连续两个拐角可向外延伸出1~4个短切口。每个切口独立构成一个谐振腔,谐振波长近似与切口深度成线性正比,而与切口方向无关。当任意一个切口满足谐振条件时,该波导结构在对应波长的透射率均趋近于0。随着同深度切口数目的增加,禁带波长区域逐渐展宽,形成一个良好的宽带滤波器。 相似文献
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等离子辅助化学气相沉积(PECVD)腔室的气流分布、温度分布是影响薄膜沉积工艺均匀性以及沉积速率的重要原因之一.本文对PECVD腔室气流建立连续流体和传热模型,研究了腔室内流场和温度分布特性;讨论了四种不同稳流室结构的PECVD腔室,在加热盘恒温400℃、质量流量5000 sccm、抽气口压力133 Pa的工艺条件下12英寸晶圆片附近上方流速、压力、温度分布情况;选择了其中一种稳流室结构作了多种质量流量( 20 ~ 5000 sccm)入口条件下的流场分析.仿真研究发现:在抽气口位置偏置的情况下,四种不同稳流室结构的腔室内热流场并未出现明显偏置,这表明抽气口偏置对工艺均匀性没有明显影响.加热盘附近上方2 mm处温度场大面均匀、稳定,且随入口质量流量变化波动很小,表现出良好的稳定性;气压分布呈现中心高边缘低的抛物线特征,流速呈现中心低边缘高的线性特征,且晶圆片附近以及喷淋头( Showerhead)入口压力和流速均随着入口质量流量的增加而升高.研究结果对PECVD腔室结构设计及工艺控制具有重要意义. 相似文献