新的适用于整个热力面的1,1,1,2-四氟乙烷(R134a)跨接状态方程

1前言作者建立了一个新型的符合临界重整化群理论的跨接状态方程，能够描述物质的整个区域热力性质山。鉴于R134a是R12的新的主要替代制冷剂，为了计算其整个区域的热力性质，本文将新跨接状态方程应用于R134a，以便提供一个能在整个区域计算R134a热力性质的状态方程。2新跨接状态方程作者建立了以下型式的新跨接状态方程l‘］：上式中，西方一r一IDZ户一p巾c；，一DI—TD；T—To／T；产为密度；pc为临界密度；T为温度；To为临界温度；矿对比过余Helmholtz自由能；A是Helmholtz自由能。新函数中，a。一30，a，一10；0—0．325和西一…     

关于变动边界的热传导问题

In this paper, a kind of heat conduction problem subject to a moving boundary condition is studied, in which its equation has form of quasilinear parabolic e-quation with vaviable coefficients, under some assumptions, we have defined and provided existence of solution of this problem in domain Ω by singular perturbation methods, where Ω denotes the domain:{σ₁(t)≤x≤ σ₂(t), 0≤t相似文献   

混合工质制冷系统节能的热力学分析

制冷、空调、热泵及余热发电,国外国内都在探索应用非共沸混合工质。它能够趋近于非等温换热的理想的Lorenz循环,降低(火用)损,提高能量利用经济性。 混合工质的选择有一系列的标准,其中由露点线和泡点线组成的相图也是选择的标准之一。从中可以直接看出非共沸混合工质在蒸发器和冷凝器中所形成的非等温相     

低维半导体异质结中的量子相干红外发射机理理论研究

给出了一种在非粒子反转条件下量子阱和量子点激光器的红外发射机理.此种红外发射是基于在同一作用区产生并作为红外场相干源的两种带间跃迁激光场的共振非线性混合.这种频率下转换机理并不依赖于在半导体激活媒质中的长时相干假定条件,在室温和泵注入电流条件下仍然有效.频率下转换的固有效率可以达到相当于每个可见光子产生一个红外光子的量子极限值.根据红外发射的可参变特性,这种非粒子反转的方法尤其适用于长波红外工作范围.     

磷酸酯类前药的合成方法与应用

磷酸酯类前药与原药相比,不仅能够提高药物靶向性、稳定性和生物利用度,减少药物毒副作用,还能掩蔽药物不适气味、提高水溶性从而改善给药途径。含羟基药物的磷酸酯化是该类药物前药设计的重要方法之一。本文根据中心磷原子的价态和化合物结构进行分类,综述了各种P(Ⅴ)四配位分子、P(Ⅲ)三配位分子和H-亚磷酸酯类化合物作为磷酸酯化试剂在磷酸酯类前药合成方法中的研究进展,并阐述了这些磷酸酯类药物的应用,最后总结了各类磷酸酯化试剂的优势与局限,并结合连续流反应技术应用案例展望了其发展趋势。     

基于纳米材料的基因载体

基因疗法是治疗基因变异引起的先天性遗传疾病和后天获得性疾病以及癌症的新型有效方法。外源基因在细胞中安全、高效、稳定的表达是基因治疗成功的关键,这与基因治疗所使用的载体系统息息相关。基因载体主要分为病毒载体和非病毒载体两大类:病毒载体的转染效率较高,但副作用较大;非病毒载体作为一种新型的基因传递系统,可以弥补病毒载体的缺陷,尽管其转染效率稍逊于病毒载体,但在基因治疗领域具有不可替代的作用。随着纳米技术的出现和蓬勃发展,基于纳米材料的基因载体研究受到越来越多的关注。纳米基因载体具有如下潜在的优势:它制备相对简单,易于对其进行多功能的修饰;具有良好的生物相容性,一般不会引起强烈的机体免疫反应;粒径普遍很小,容易穿过人体的组织间隙而被细胞吸收,基因转运效率较高;可以较有效保护其所携带外源基因,利于基因更高效地表达。本文主要对基于金属、无机非金属、阳离子聚合物和脂质体纳米材料作为基因载体的研究进展进行综述和展望。     

手性化合物绝对构型确定的方法与应用

手性分子绝对构型(AC)的确定在手性化学研究与应用中至关重要.近年测定手性化合物AC的各种方法,根据其原理可主要分为三大类.第一类是在手性环境下激发手性化合物的原子核从而测定手性化合物AC的核磁共振(NMR)法,包括应用芳环抗磁屏蔽效应的NMR法和应用配糖位移效应的NMR法;第二类是基于原子共振散射的X射线衍射(XRD...     

带广义边界条件的四阶抛物型方程的混合间断时空有限元法

构造具有广义边界条件的四阶线性抛物型方程的混合间断时空有限元格式,利用混合有限元方法将高阶方程降阶,利用空间连续而时间允许间断的时空有限元方法离散方程,证明了离散解的存在唯一性,稳定性和收敛性,并给出数值算例验证了方法的有效性.     

多孔压电线性理论中的唯一性定理、互易定理和特征值问题

假定弹性场和电场为正定,在多孔压电线性理论中建立起唯一性定理和互易定理．在准静态电场近似下,证明多孔压电材料线性理论中的一般性定理．利用弹性场的正定性,唯一性定理得到证明．在与多孔压电体自由振动相联系的特征值问题的研究中,给出了简明的公式．文中还研究了有关算子的某些特性．以简明公式为基础,利用变分法和算子法,研究了由于小扰动产生的频移问题．还给出了特殊情况下的扰动分析．     

High volumetric hydrogen density phases of magnesium borohydride at high-pressure: A first-principles study

The previously proposed theoretical and experimental structures,bond characterization,and compressibility of Mg(BH 4) 2 in a pressure range from 0 to 10 GPa are studied by ab initio density-functional calculations.It is found that the ambient pressure phases of meta-stable I4 1 /amd and unstable P-3m1 proposed recently are extra stable and cannot decompose under high pressure.Enthalpy calculation indicates that the ground state of F 222 structure proposed by Zhou et al.[2009 Phys.Rev.B 79 212102] will transfer to I4 1 /amd at 0.7 GPa,and then to a P-3m1 structure at 6.3 GPa.The experimental P 6 1 22 structure(α-phase) transfers to I4 1 /amd at 1.2 GPa.Furthermore,both I4 1 /amd and P-3m1 can exist as high volumetric hydrogen density phases at low pressure.Their theoretical volumetric hydrogen densities reach 146.351 g H 2 /L and 134.028 g H 2 /L at ambient pressure,respectively.The calculated phonon dispersion curve shows that the I4 1 /amd phase is dynamically stable in a pressure range from 0 to 4 GPa and the P-3m1 phase is stable at pressures higher than 1 GPa.So the I4 1 /amd phase may be synthesized under high pressure and retained to ambient pressure.Energy band structures show that they are both always ionic crystalline and insulating with a band-gap of about 5 eV in this pressure range.In addition,they each have an anisotropic compressibility.The c axis of these structures is easy to compress.Especially,the c axis and volume of P-3m1 phase are extraordinarily compressible,showing that compression along the c axis can increase the volumetric hydrogen content for both I4 1 /amd and P-3m1 structures.