A Low-Voltage Silicon Light Emitting Device in Standard Salicide CMOS Technology

A silicon-based field emission light emitting diode for low-voltage operation is fabricated in the standard 0.35 μm 2P4M salieide complementary metal-oxide-semiconduetor （CMOS） technology. Partially overlapping p^＋ and n^＋ regions with a salicide block layer are employed in this device to constitute a heavily doped p^＋-n^＋ junction which has soft ＂knee＂ Zener breakdown characteristics, thus its working voltage can be reduced preferably below 5 V, and at the same time the power efficiency is improved. The spectra of this device are spread over 500nm to 1000nm with the main peak at about 722nm and an obvious red shift of the spectra peak is observed with the increasing current through the device. During the emission process, field emission rather than avalanche process plays a major role. Differences between low-voltage Zener breakdown emission and high-voltage avalanche breakdown emission performance are observed and compared.     

空化单气泡外围压强分布

关键词：     

关于Wrpp半群上的Lawson偏序(英文)

In this paper,we introduce Lawson partial order ≤ w on wrpp semigroups.After obtaining some properties of ≤ w,we determine when ≤ w is(left;right) compatible with the multiplication.These results extend and enrich the related results of Lawson and GuoLuo on abundant semigroups,of Guo-Shum on rpp semigroups and of Liu-Guo on wrpp semigroups.     

水蒸气对声致发光单气泡稳定性的影响

在考虑水蒸气凝结与水的蒸发过程的基础上，推导了球形气泡形状稳定性方程-利用这个方程以及气泡运动时的气体扩散平衡条件，分别研究了环境水温217℃时声驱动频率为206kHz（溶于水中的氩气含量是其饱和度的14％）、环境水温0℃时声驱动频率为319kHz（溶于水中的氮气分压为20kPa，其中含1％氩气），以及环境水温20℃时声驱动频率为338kHz（溶于水中的氮气分压为20kPa，其中含1％氩气）可控制条件下气泡稳定性问题-理论计算结果与前人的实验数据比较，发现考虑水蒸气以后比忽略水蒸气对单气泡稳定区域 关键词： 声致发光 水蒸气 形状不稳定性 扩散平衡     

Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology

Two silicon light emitting devices with different structures are realized in standard 0.35pro complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） technology. They operate in reverse breakdown mode and can be turned on at 8.3 V. Output optical powers of 13.6nW and 12.1 n W are measured at 10 V and l OOmA, respectively~ and both the calculated light emission intensities are more than 1 mW/cm^2. The optical spectra of the two devices are between 600-790 nm with a clear peak near 760 nm.     

左富足半群上的同余（英文）

本文研究了一类特殊的左富足半群,即左GC-lpp-半群上的R^*-同余.我们利用类似正则半群上同余的核迹方法分别刻画了这类半群上具有相同核和迹的最大和最小同余.同时,我们也得到了左GC-lpp-半群上的幂等元R*-同余的一些性质,并建立了这种同余的结构.     

一种玻璃微流控芯片的实用制作工艺研究

本文提出了一种在商品化的SG4009玻璃上制作50×50 mm微流控芯片的方法。SG4009玻璃表面有厚度570 nm的光刻胶S-1085和厚度145 nm的Cr层组成的掩蔽层,省去制作掩蔽层的时间和设备,降低了生产成本,缩短了生产周期。对芯片制作过程中的一些问题进行分析研究,提出相应的解决方案,保证了芯片的制作质量。     

高压下BeP2N4结构相变和电子结构的第一性原理计算

 基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了硅铍石型和尖晶石型结构BeP₂N₄的总能量随体积的变化关系。利用Brich-Murnaghan状态方程,通过能量和体积拟合,得到了2种结构的体变模量及其对压强的一阶导数。在压力作用下,BeP₂N₄的相变是从硅铍石型结构（空间群R-3,No.148）转变到尖晶石型结构（空间群Fd-3m,No.227）,计算出的相变点与其它理论值符合得非常好。同时计算了BeP₂N₄的相对晶格常数a/a₀和相对体积V/V₀的压缩率,在低压下发现,尖晶石结构BeP₂N₄的压缩率接近金刚石,进一步计算了不同压力下的体弹模量B_H、剪切模量G_H、B_H/G_H和杨氏模量E。此外,对两种结构的BeP₂N₄的电子态密度和带隙随压强的变化关系进行了计算和分析。结果表明：在压力作用下,上价带顶向费米能级移动,并有一定的展宽。Be—N、P—N键缩短,电子转移增加,导致电荷发生重新分布。     

黄金价格(AU99.99)的季节性风险预测

选用了经典的AR(1)-EGARCH(1,1)模型和极大似然估计来获得黄金收益率的条件均值和条件方差的估计.接着,利用极值理论模拟了标准独立化以后的残差序列.最终预测了每个季度的VaR和CVaR,进而研究了黄金价格的季节性风险.