Reduction of Concentration Quenching in a Nondoped DCM Organic Light-Emitting Diode

We obtain a nondoped red organic light-emitting diode (OLED) structure ITO/pc-PPV (-30 nm)/DCM (-30 nm)/BCP (-30nm)/Mg:Ag, where DCM refers to 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-[(4-dimethylaninostyryl)-4-Hpyran]. The OLED shows pure and stable red luminescence depending on the driving voltages. The maximum luminance is 330 Cd/m^2 and the turn-on voltage is as low as-2 V. The reason why the concentration quenching of DCM could be reduced in this structure is investigated. In the preparation process, both the hole-transporting layer and the emitter layer are formed by the spin-coated method. It is believed that this method can lead to a new way to avoid the concentration quenching of red-emitting materials.     

硝酸铈铵诱导的1,3-二羰基化合物对二烯酮和二烯酯的环加成反应

硝酸铈铵(CAN)作为一个良好的单电子氧化剂近年来在有机合成中已被广泛用于构筑各种类型的碳碳键[1].硝酸铈铵诱导的1,3-二羰基化合物对孤立双键[2]、烯醇硅醚[3]、乙烯基醚[4]、共轭双烯[5]等的环加成反应已有报道.然而对其与具有多个不饱和基团化合物的区域选择性环加成反应尚鲜见报道[6].本文报道CAN诱导的1,3-二羰基化合物1对二烯酮及二烯酯(2)的区域选择性环加成反应,结果以中等产率高区域选择性地得到了二氢呋喃类化合物3(Eq.1).可能的反应机理示于Scheme 1.     

SiO2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象

自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点, 成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择. 然而, 该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO₂的同时, 避免在SiNx:H掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅, 否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中, 导致过镀现象. 这就要求预处理溶液对SiO₂/SiNx:H有很高的选择性刻蚀. 本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因, 研究了进行SiO₂/SiNx:H选择性刻蚀的可行性. 依据HF刻蚀SiO₂和SiNx:H的机理, 通过调节HF缓释溶液的pH值, 改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.