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SiO2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象
引用本文:李涛,周春兰,宋洋,张磊,惠俊,杨海峰,郜志华,段野,李友忠,励旭东,许颖,赵雷,刘振刚,王文静.SiO2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象[J].化学学报,2011,69(7):848-852.
作者姓名:李涛  周春兰  宋洋  张磊  惠俊  杨海峰  郜志华  段野  李友忠  励旭东  许颖  赵雷  刘振刚  王文静
作者单位:(1太阳能热利用及光伏系统重点实验室 中国科学院电工研究所 北京 100190) (2中轻太阳能电池有限责任公司 北京 101111) (3广州确信乐思化学贸易有限公司 广州 518055) (4中国检验检疫科学研究院 北京 100123) (5北京市太阳能研究所 北京 100083)
基金项目:中国科学院知识创新工程重要方向,国家高技术研究发展计划
摘    要:自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点, 成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择. 然而, 该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时, 避免在SiNx:H掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅, 否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中, 导致过镀现象. 这就要求预处理溶液对SiO2/SiNx:H有很高的选择性刻蚀. 本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因, 研究了进行SiO2/SiNx:H选择性刻蚀的可行性. 依据HF刻蚀SiO2和SiNx:H的机理, 通过调节HF缓释溶液的pH值, 改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象.

关 键 词:过镀  选择性刻蚀  光诱导化学镀/电镀  多晶硅太阳能电池  

SiO2/SiNx:H Selective Etching Improving Light-induced Electroless Plating/Electro-plating Multicrystalline Solar Cells Over-plating Phenomenon
Li Tao,Zhou Chunlan,Song Yang,Zhang Lei,Hui Jun,Yang Haifeng,Gao Zhihua,Duan Ye,Li Youzhong,Li Xudong,Xu Ying,Zhao Lei,Liu Zhengang,Wang Wenjing.SiO2/SiNx:H Selective Etching Improving Light-induced Electroless Plating/Electro-plating Multicrystalline Solar Cells Over-plating Phenomenon[J].Acta Chimica Sinica,2011,69(7):848-852.
Authors:Li Tao  Zhou Chunlan  Song Yang  Zhang Lei  Hui Jun  Yang Haifeng  Gao Zhihua  Duan Ye  Li Youzhong  Li Xudong  Xu Ying  Zhao Lei  Liu Zhengang  Wang Wenjing
Abstract:
Keywords:over-plating  selective etching  light-induced electroless plating/electro-plating  multicrystalline silicon solar cells  
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