骨质疏松性桡骨远端骨折两种手术方式的疗效比较

@@桡骨远端是指距桡骨远端关节面约2.5cm以远的松质骨与密质骨的交界，此处为解剖薄弱区域，易受外力而骨折，是临床常见的骨折之一，约占全身骨折的1/10[1]。大多因摔倒时，腕关节处于背伸或掌屈位着地；地面对人体的反冲力与身体向下的力通过肘关节交汇于桡骨远端区域，致使骨质发生弯曲、爆裂及骨折，患有骨质疏松症的老年人更易发生[2]，且多为低能量的外力所致。随着内固定器械日新月异的发展，此类骨折手术治疗的选择明显增加。近年来，我科采用掌侧入路锁定钢板内固定和跨关节外固定两种方式治疗骨质疏松性桡骨远端骨折，现报道如下。     

基于二氰根铬的一系列氰根桥联CrⅢ-CuⅡ-CrⅢ三核配合物的合成、结构与磁性

基于一系列二氰根铬与[Cu(cyclam)](ClO₄)₂反应合成了3个氰根桥联Cr^Ⅲ-Cu^Ⅱ-Cr^Ⅲ三核配合物[Cu(cyclam)][Cr(bpmb)(CN)₂]₂·4H₂O(1)(cyclam=1,4,8,11-四氮杂环十四,bpmb^2-=1,2-二(2-吡啶甲酰胺基)-4-甲基苯),[Cu(cyclam)][Cr(bpdmb)(CN)₂]₂(2)(bpdmb^2-=1,2-二(2-吡啶甲酰胺基)-4,5-二甲基苯)和[Cu(cyclam)][Cr(bpClb)(CN)₂]₂·4H₂O(3)(bpClb^2-=1,2-二(2-吡啶甲酰胺基)-4-氯苯)。单晶衍射结果表明:3个化合物是结构类似的中性三核配合物,均含有氰根桥联的Cr(Ⅲ)-CN-Cu(Ⅱ)-NC-Cr(Ⅲ)连接;磁性研究表明:氰根桥在Cr^Ⅲ和Cu^Ⅱ离子间传递弱的铁磁耦合作用,基于自旋哈密顿算符Ĥ=-2J_CrCuŜ_Cu(Ŝ_Cr1+Ŝ_Cr2)拟合得到它们的磁耦合常数分别是J_CrCu=1.53(2) cm^-1(1),0.45(1) cm^-1(2)和0.73(2) cm^-1(3)。     

氰根桥联FeⅢ-CuⅡ一维配合物{[Fe(1-CH3im)(CN)4(μ-CN)Cu(cyclam)]·H2O}n的合成、结构及磁性研究

基于构筑单元K2[Fe(1-CH3im)(CN)5]和[Cu(cyclam)](ClO4)2,合成了一个氰根桥联FeⅢ-CuⅡ中性一维化合物{[Fe(1-CH3im)(CN)4(μ-CN)Cu(cyclam)]·H2O}n(1-CH3im=1-甲基咪唑;cyclam=1,4,8,11-四氮杂环十四烷)(1),并通过X-射线单晶分析表征其结构特征。结果表明:化合物(1)是由氰根桥联的杂金属组成的聚合物,其结构属于三斜晶系,P1空间群,a=0.832 56(17)nm,b=0.899 38(18)nm,c=0.998 3(2)nm,α=111.94(3)°,β=95.06(3)°,γ=116.90(3)°,V=0.587 7(2)nm3,Z=1,Dc=1.554 g·cm-3,μ=1.558 mm-1,F(000)=286,R1=0.051 9,wR2=0.135 3。磁性研究表明:配合物1中CuⅡ和低自旋的FeⅢ离子之间存在弱的铁磁耦合作用。     

Open-circuit voltage analysis of p-i-n type amorphous silicon solar cells deposited at low temperature

This paper identifies the contributions of p-a-SiC:H layers and i-a-Si:H layers to the open circuit voltage of p-i-n type a-Si:H solar cells deposited at a low temperature of 125 C.We find that poor quality p-a-SiC:H films under regular conditions lead to a restriction of open circuit voltage although the band gap of the i-layer varies widely.A significant improvement in open circuit voltage has been obtained by using high quality p-a-SiC:H films optimized at the "low-power regime" under low silane flow rates and high hydrogen dilution conditions.     

新型三维开放骨架稀土硫酸盐[Ln4(H2O)4(SO4)10](C4N2H12)4(H2O)4(Ln=Gd,Eu)的合成、结构及荧光性质

以哌嗪为模板剂,在水-乙醇混合溶剂体系中溶剂热合成了两个具有三维开放骨架结构的稀土硫酸盐[Ln4(H2O)4(SO4)10](C4N2H12)4(H2O)4（Ln = Gd,化合物1和Eu,化合物2）,并对其进行了结构表征、热重以及荧光光谱分析. 单晶结构解析表明,化合物1和2属于同构异质,均结晶于单斜晶系,P21/c空间群,化合物1,a = 19.691(3) ?,b = 19.249(3) ?,c = 13.186(2) ?,β = 92.33(0)o,V = 4993.5(1) ?3, Z =4. 化合物2,a = 19.7233(8) ?,b = 19.2791(8) ?,c = 13.2095(5) ?,β = 92.329(1)o,V = 5018.7(3) ?3, Z =4. 两个化合物在ab平面上由SO4,GdO8和GdO9多面体共边或共角交错连接形成含有八元环和十六元环的二维层状结构,该二维层沿c方向平行排列,相邻层通过SO4四面体相连形成具有孔道的三维开放骨架结构,其孔道之中包含平衡骨架负电荷的质子化哌嗪分子. 化合物2的固体荧光光谱分析显示其在397nm激发波长下,表现出典型的Eu3+发光性质.       

微波消解/干灰化-分光光度法测定面制食品中的铝

采用微波消解法和干灰化法对面制品进行前处理,用分光光度法测定面制品中的铝含量,建立了微波消解/干灰化-分光光度法测定铝的方法.实验结果表明,本方法前处理简单,检测结果准确度高,精密度好,在0～10μg/25 mL线性范围内:相关系数r=0.999 5,方法检出限为0.2 μg/25 mL,样品的加标回收率在92.0 %...     

《流体力学中的数值/实验室计算机方法》

随着电子计算机技术的发展,通过数值计算的途径解决力学问题的重要性日益显著。在流体力学方面,已形成了“计算流体力学”这门新兴学科;甚至出现了所谓“数值风洞”,可以用数值方法代替风洞试验的若干功能。计算流体力学的发展,除了体现在这方面的新期刊不断创刊之外,1969年首次举行了第1届流体动力学中的数值方法国际会议。随后,分别于1970、1972、1974和和1976年相继举行了第2—5届会议,并出版     

Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector

The samples of In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As two-dimensional electron gas(2DEG)are grown by molecular beam epitaxy(MBE).In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are used.The samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 K.The In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm~2/V·s(300 K)and42040 cm~2/V·s(77 K)are obtained,and the values of carrier concentration(Nc)are 3.465×10~(12)/cm~2and 2.502×10~(12)/cm~2,respectively.The THz response rates of In P-based high electron mobility transistor(HEMT)structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability theory.The results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT THz detectors.     

一道有趣的高考数学试题的延伸与拓展

2012年高考数学全国卷(大纲版)的文理科选择题第12题,非常有趣,试题如下:文科12题:正方形ABCD的边长为1,点E在边AB上,点F在边BC上,AE=BF=1/3,动点P从E出发沿直线向F运动,每当碰到正方形的边时反弹,反弹时反射角等于入射角.当点P第一次碰到E时,P与正方形的边碰撞的次数为()