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为实现高效率、高功率中波红外激光输出,研制基于MgO:PPLN晶体的中波红外光参量振荡器(OPO),泵浦源为基于主振荡功率放大(MOPA)结构的线偏振掺Yb光纤激光器(YDFL)。实验结果表明:YDFL可实现最高79.1 W的1064.1 nm脉冲线偏振激光输出;在YDFL泵浦下,通过优化输出镜曲率半径和泵浦光束腰直径,该OPO实现最高9.15 W的3.754 μm脉冲激光输出,光光转换效率为11.57%,重复频率为300 kHz,脉冲宽度约为110 ns。 相似文献
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由于芯片之间存在的热耦合效应,多芯片LED器件内部存在复杂热学规律。本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径,进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温。通过本文试验验证,单颗芯片、2颗芯片、3颗芯片以及4颗芯片在负载不同电功率(0.3~1.2 W)情况下,结温的测试值和计算值的最小误差值为0.8%,最大误差值为6.8%,平均误差值为3.4%,计算结果与测试结果基本保持一致,因此有利论证了多芯片LED热学模型可为评价多芯片LED器件热学性能提供重要的参考作用,有助于更全面分析多芯片LED热阻内部芯片之间的热耦合效应。该实验结果为准确预测多芯片LED器件内部结温提供了重要理论依据。 相似文献
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本文使用机械混合法和浸渍法制备了一系列的氧化锌负载HZSM-5/SAPO-34(HZ-SA)混合载体催化剂,并且首次将其应用于正丁烷芳构化的研究中.在反应条件为T=580?C,P=100KPa,WHSV=1 500 m L·g~(-1)·h~(-1)条件下,在Zn/HZ-SA催化剂上,最高的正丁烷转化率和BTX(苯,甲苯,二甲苯)收率可以分别达到76.5%和26.4%,远高于在Zn/HZSM-5上的49.1%和18.6%,以及Zn/SAPO-34的19.0%和1.1%.由XRD,BET,NH_3-TPD,Py-FIIR等表征结果可知,Zn/HZ-SA催化剂具有相对较大的比表面积和较多的活性位点,以及中等强度和密度的酸性位点,改善了催化剂的催化性能.除此之外,混合载体(HZ-SA)中HZSM-5和SAPO-34之间的协同作用,也可能是Zn/HZ-SA催化剂取得优异催化性能的原因. 相似文献
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APA微胶囊扩散数学模型的改进 总被引:4,自引:0,他引:4
在膜阻力系数和膜内基质的分配系数两个新特性的基础上,重新建立了蛋白质在APA微胶囊体系上的扩散数学模型,该模型更为准确地反映出蛋白质在微胶囊上的扩散特性 相似文献
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三角形电极离子阱的理论模拟及性能优化 总被引:2,自引:0,他引:2
作为一种新型结构的线性离子阱,三角形电极离子阱( TeLIT)具有简单的电极结构与良好的分析性能。为进一步提高TeLIT的质谱性能,本研究考察了TeLIT的性能与电极结构的关系。利用模拟软件SIMI-ON和AXSIM分析TeLIT场半径比与其内部电场分布的关系,并模拟离子运动轨迹,得出模拟离子质谱峰。理论模拟结果表明:优化场半径比可以改善内部电场分布,并能显著提高TeLIT的质量分辨率。最终模拟得出场半径比rx/ry=5.75:5时为最优结构,在该结构下,m/z为1892 Th的离子在扫描速率为1500 Th/s时,质量分辨率可以达到8287;扫描速率降为300 Th/s时,最高质量分辨率可达23000。 相似文献
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半圆弧面线性离子阱具有电极结构简单、便于加工和安装精度高等优点。为进一步提升半圆弧面线性离子阱的分析性能,本研究在实验室原有半圆弧面线性离子阱的基础上提出了一种四面开槽的半圆弧面线性离子阱,并对其电极半径与场半径之比r/r0以及离子出射方向上电极的“拉伸”距离进行了优化。模拟结果表明:当r/r0=5:5,离子出射方向上的电极向外“拉伸”0.8~1.2 mm时,离子阱的性能有较大提升,尤其是“拉伸”距离为0.9 mm时所得质量分辨率最高,当扫描速率为409 Da/s时, m/z=609 Da的离子质量分辨率可达到6264( M/△M, FWHM)。作为对比,本研究同时对双曲面线性离子阱的性能进行了仿真优化,结果表明,经过优化后的半圆弧面线性离子阱的性能可与双曲面线性离子阱相媲美。 相似文献
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基于垂直腔面发射激光器的自旋反转模型,研究了光电负反馈下1 550nm正交偏振光注入垂直腔面发射激光器的非线性动力学特性.研究结果表明:在合适的注入强度和失谐频率条件下,自由运行工作在Y线偏振模式的1 550nm垂直腔面发射激光器可呈现出稳态、稳定注入锁定、单周期、二倍周期、多周期、混沌等多种非线性动力学状态以及偏振转换现象;引入光电负反馈后,1 550nm正交偏振光注入垂直腔面发射激光器将呈现出双频准周期、三频准周期等动力学状态.在注入强度和失谐频率构成的参数空间,反馈延时时间一定时,反馈强度大小对该激光器的动力学状态分布有明显影响;光电反馈强度一定时,在注入强度相对较小的区域,反馈延时时间对该激光器动力学状态分布也有明显影响,而对于注入强度相对较大的区域,该激光器始终工作在单周期或稳定注入锁定态,即反馈延时时间对激光器动态行为的影响较弱. 相似文献
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Dislocation distributions and tilts in Al(Ga)InAs reverse-graded layers grown on misorientated GaAs substrates 下载免费PDF全文
Compositionally undulating step-graded Al(Ga)In_xAs(x = 0.05–0.52) buffers with the following In P layer were grown by metal–organic chemical vapor deposition(MOCVD) on(001) GaAs with a 15°miscut. The dislocation distribution and tilts of the epilayers were examined using x-ray rocking curve and(004) reciprocal space maps(RSM) along two orthogonal 《110》 directions. The results suggested that such reverse-graded layers have different effects on α and βdislocations. A higher dislocation density was observed along the [110] direction and an epilayer tilt of-1.43°was attained in the [1-10] direction when a reverse-graded layer strategy was employed. However, for conventional step-graded samples,the dislocation density is normally higher along the [1-10] direction. 相似文献