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11.
基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布.结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109 eV、1.86 eV、1.214 eV,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁;C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级;C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献;C-Y、C-Zr共掺杂SnO2会打破SnO2电子平衡状态,致使电荷的重新分布.  相似文献   
12.
本文利用分子动力学模拟方法, 研究了非晶态Ti3Al合金在300 K时的短程序和中程序。利用对相关函数分布函数、配位数和Voronoi多面体方法研究了微观局域结构短程序和中程序。 研究发现:在Ti3Al合金非晶体中,短、中程序具有二十面体或缺陷二十面体的壳层结构。  相似文献   
13.
本文基于第一性原理的广义梯度近似GGA下对XMgn(X=K, Na, n=1-12)团簇的结构与性质进行了研究. 通过对结构、束缚能、二阶能量差分和劈裂能的分析发现: KMgn (n=1-12) 团簇在n>5时, 其几何结构转变为笼状; 在n=12时, K原子进入到团簇的内部且呈逃逸的趋势; KMgn (n=1-12)团簇的相对稳定性在n=6,9时增强; 对于NaMgn (n=1-12) 团簇, 在n<6时,团簇的结构相对简单; 在n大于等于6时,团簇的结构呈现出比较复杂的立体结构; NaMgn (n=1-12)团簇在n=6,9时团簇的相对稳定性增强; 最后对比分析KMgn , NaMgn (n=1-12)的二阶能量差分和劈裂能发现; 在n=6时,两种团簇的相对稳定性都较强,但KMg6团簇的稳定性优于NaMg6团簇.  相似文献   
14.
本文采用第一性原理研究了Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO4的能带结构、总态密度以及分态密度. 研究结果显示:Mg、Ge、Te、Zn掺杂的LiFePO4的带隙低于本征体系,有利于电子的跃迁.本征LiFePO4的能带与掺Mg、Ge、Te、Zn体系带隙之差分别为0.04 eV,0.263eV,0.691eV,1.251eV, 说明掺杂Mg、Ge、Te、Zn能够有效的对其能带实现精确调控.在费米能级处,Mg、Ge、Te、Zn掺杂LiFePO4的态密度主要由Fe的d轨道贡献.  相似文献   
15.
本文基于第一性原理方法采用密度泛函理论研究了单层MoS_2吸附Cu_3,Ag_3,Au_3团簇的稳定性、能带结构和态密度.通过研究发现单层MoS_2在S位吸附Cu_3,Ag_3,Au_3团簇稳定性强于在Mo位吸附;Cu_3,Ag_3,Au_3团簇在单层MoS_2表面吸附产生3条杂质能级,分别是Cu、Ag、Au原子与S形成共价键下的形成了施主能级与受主能级;Cu,Ag、Au拥有良好的金属性致使单层MoS_2向导体转变.吸附体系的态密度在低能区主要来源于S的3s、Mo的5s以及Cu、Ag、Au的3d、4d、5d轨道的贡献;能量值在-7.5eV~-1eV范围内Cu、Ag、Au的d轨道与S的p发生杂化,形成了较高的态密度峰值.费米能附近的电荷分布主要于Mo-S、Cu-S、Ag-S、Au-S的成键方向.  相似文献   
16.
本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si 0.167Al0.833O1.5, Si 0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析. 结果发现:随着Si在Al2O3晶体中所占比例的增加,体系能隙变小,在Si 0.25Al0.75O1.5晶体体系中能隙已降到2.5eV,表明该体系为半导体材料;而在掺杂的体系中有数条分散的能带穿过了费米能级,即可以预测该掺杂体系有特别的光电性质;同时对比纯Al2O3和Si掺杂的Si 0.167Al0.833O1.5, Si 0.25Al0.75O1.5晶体体系的总态密度,发现掺杂体系的价带和导带向低能区域移动.  相似文献   
17.
本文利用第一性原理的广义梯度近似(GGA)对ComAgn(m+n=13)团簇进行了研究.在几何优化计算的基础上,分析了ComAgn(m+n=13)团簇的束缚能、能隙和磁性;结果表明: ComAgn(m+n=13)团簇束缚能的二阶能量差分在m =6,8,10,12时出现峰值,说明Co6Ag7, Co8Ag5, Co10Ag3, Co12Ag1团簇相对稳定;同时,能隙的研究说明Co6Ag7团簇较其他团簇有较高的化学稳定性;在ComAgn(m+n=13)团簇中增加Co原子数目有助于磁性的增强.  相似文献   
18.
本文基于第一性原理研究了Na、 Be、 Mg掺杂单层MoS_2的稳定性、能带结构、态密度以及电荷分布.得到Be掺杂单层MoS_2体系在实验上较容易实现,在三者掺杂体系中稳定性最强.与此同时,掺杂体系的带隙值都降低,有利于电子的跃迁,增强了导电性能;掺杂原子打破了原体系的平衡关系,导致周边S原子p轨道上的多余的电子会与近邻Mo原子d轨道上的电子产生相互作用;平衡的打破,也导致了杂质原子周围存在着电荷聚集和损失的现象.  相似文献   
19.
利用广义梯度近似(GGA)的方法研究Al_nSi_n团簇的几何结构,计算它们的基态束缚能B_e(au)、最高占据轨道(HOMO)与最低未占据轨道(LUMO)之间的能隙、费米能、二阶能量差分△_2E(au)以及团簇的总能量.研究表明,Al_nSi_n团簇在n2时呈平面几何结构,从6个原子开始转为空间的立体几何结构,并且随着原子数的增多,两种原子出现相互咬合的趋势;同时Al_4Si_4团簇的束缚能、费米能、能隙都出现了峰值,说明其稳定性较差;分析Al_nSi_n(n=1-7)团簇的二阶能量差分发现:在m+n=3、6时,团簇都出现较稳定的结构.  相似文献   
20.
本文利用第一性原理的广义梯度近似(GGA)对Co_mAg_n(m+n=13)团簇进行了研究,在几何优化计算的基础上,分析了Co_mAg_n(m+n=13)团簇的束缚能、能隙和磁性.结果表明:Co_mAg_n(m+n=13)团簇束缚能的二阶能量差分在m=6,8,10,12时出现峰值,说明Co6Ag7,Co8Ag5,Co10Ag3,Co12Ag1团簇相对稳定;能隙的研究说明Co6Ag7团簇较其他团簇有较高的化学稳定性;在Co_mAg_n(m+n=13)团簇中增加Co原子数目有助于磁性的增强.  相似文献   
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