| C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 伏春平,黄浩,孙凌涛,夏继宏,程正富.C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2019,48(1):127-130. |
| |
| 作者姓名： | 伏春平 黄浩 孙凌涛 夏继宏 程正富 |
| |
| 作者单位： | 重庆文理学院物理系,永川,402160 |
| |
| 基金项目： | 重庆市教委科技项目资助(KJ1601128);重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室开放课题基金(KF2016012);重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心开放课题资助(KF20170106) |
| |
| 摘 要： | 基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布.结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109 eV、1.86 eV、1.214 eV,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁;C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级;C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献;C-Y、C-Zr共掺杂SnO2会打破SnO2电子平衡状态,致使电荷的重新分布.
|
| 关 键 词： | SnO2 能带结构 态密度 |
First-principles Study on Electronic Structure of C-X( X=Y,Zr) Co-doped SnO2 |
| |
| FU Chun-ping,HUANG Hao,SUN Ling-tao,XIA Ji-hong,CHENG Zheng-fu.First-principles Study on Electronic Structure of C-X( X=Y,Zr) Co-doped SnO2[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(1):127-130. |
| |
| Authors: | FU Chun-ping HUANG Hao SUN Ling-tao XIA Ji-hong CHENG Zheng-fu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
