预脉冲对相对论磁控管工作性能的影响分析

 在阐述预脉冲产生的基础上，分析了预脉冲带来的一系列影响，包括工和电压波形变化，提前生成等离子体，以及预脉冲阶段放大竞争模式等，这些影响与相对论磁控管起振工作频率相联系，从而直接造成了相对论磁控管的基本性能参数，如脉宽、工作频率及输出功率等变化。结合具体实验，对比了有、无预脉冲条件下相对论磁控管工作性能的差异，对预脉冲的影响因素与相对论磁控管性能之间的联系进行了详细的分析。     

可调谐相对论磁控管的实验研究

 实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异，以及低有载品质因数下，没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明：没有阳极端帽时，可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围；在高有载品质因数下，可以达到2.52～3.31 GHz的调谐范围，输出功率范围为44～790 MW；低有载品质因数下，调谐范围为2.55～3.05 GHZ，调谐范围内输出功率1～1.7 GW。     

低噪声放大器有意电磁干扰效应

 低噪声放大器(LNA)是高功率微波“前门”效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好一致,表明基于SPICE电路模型微波效应研究方法的有效性。研究表明,LNA增益压制脉宽随注入微波脉冲脉宽的增大具有饱和效应,该饱和值基本等于LNA直流偏置电路RC时间常数,并且出现饱和现象对应注入微波脉宽拐点约为150~250 ns。最后,给出了LNA微波脉冲效应定性物理解释和机理探讨。     

永磁体相对论磁管的实验研究

 简要分析了永磁体相对论磁控管的主要特点与基本原理,编制了永磁系统数值计算程序,设计制作了相对论磁控管用永磁体并进行了测试。根据所得的磁场数据对相对论磁控管进行了模拟设计与实验研究。在S波段得到了430MW左右的微波输出功率。