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利用 10 2MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn ,通过熔合蒸发 4n反应产生核素12 9Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区 .通过化学分离来制备待测的Ce样品 ,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn ,并比较上述 3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素 .结果一种半衰期为 4.1min的活性被鉴定为12 9Ce.基于X -γ -t和γ -γ -t符合测量 ,建议了包括 5 1条射线在内的12 9Ce的 (EC/ β+)衰变纲图 .其中 ,12 9Ce基态直接馈送到12 9La基态的份额 ( 2 6± 7) %是用观测到的12 9La衰变的 2 78.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的 .另外还给出了用La Kα X射线和6 8.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱 相似文献
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藉助氦喷嘴带传输系统,采用"p-γ"符合的鉴别原理,成功地合成与鉴别了58Ni(36Ar, 2p3n)反应产生的核素89Ru, 并研究了它的β缓发质子衰变性质.实验给出89Ru的衰变半衰期为(1.2±0.2) s, 测定了它的β缓发质子能谱,提取出了89Ru经缓发质子衰变布居到子核88Mo的2+和4+态的相对终态分支比(100∶6).通过与统计模型计算结果进行对比,初步指定了89Ru基态的自旋-宇称(5/2+或7/2±)和质量过剩(-59.5 MeV). 相似文献
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利用102MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn,通过熔合蒸发4n反应产生核素129Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.通过化学分离来制备待测的Ce样品,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn,并比较上述3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素.结果一种半衰期为4.1min的活性被鉴定为129Ce.基于X–γ–t和γ–γ–t符合测量,建议了包括51条射线在内的129Ce的(EC/β+)衰变纲图.其中,129Ce基态直接馈送到129La基态的份额(26±7)%是用观测到的129La衰变的278.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的.另外还给出了用La-Kα-X射线和68.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱. 相似文献
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实验测量了294MeV20Ne+12C反应中出射α粒子的单举能谱及角分布,用三源模型拟合了实验数据,大角度出射α粒子的实验结果表明了靶核碎裂(breakuP)机制的存在. Inclusive energy spectra and angutar distribution of α-particles have been measured in the reaction of 294MeV 20N bombardment of 12C target. Three sources fitting was Performed for the experimental data. The fact of α-particle emission at large angles indicates the process of target breakup. 相似文献
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入射能量为69.5MeV的碳束轰击~(27)Al和~(nat)Ca靶,用△E-E计数器望远镜鉴别反应产物,测得Li、BC、B、N、O诸元素能谱,在两体反应假设下,得到了质心系能谱、角分布、E-θ平面上双微分截面d~2σ/dEdθ的等高线图。假定在断裂时刻碎片相对运动动能可以忽略,绝热近似条件得到满足,并且碎片只有旋转对称的四极形变,从而得到决定断点处碎片运动的三个方程,求解这组方程,得到断点拉长度,并得到出射碎片的总动能。计算得到的出射碎片的形变参数是在0.28—0.44之间,其全阻尼能量与实验结果基本相符。由拟合实验角分布得到的平均寿命是(4—6)×10~(-22)秒。 相似文献
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用16O束轰击197Au靶,通过熔合蒸发4n反应产生了209Fr,借助于氦喷嘴带传输系统对其衰变性质进行了研究.由γ-t,X-γ-t,γ-γ-t符合及γ-γ延迟符合测量得到的结果,首次建立了209Fr的(EC+β+)衰变纲图.它包含了20条γ射线.209Rn的5个低位态的成员可以用[(210Rn2+)(νf5/2)-1]多重态结构来解释.实验估计209Fr(EC+β+)衰变的分支比为(3.0±1.5)%. 相似文献
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运用p-γ符合测量技术,详细研究了Tz=1/2系列核素81Zr和85Mo的β延迟质子衰变.获得了β衰变后发射质子布居到子核的第1激发态的质子谱.测量得81Zr的半衰期为(5.3±0.5) s,85Mo的半衰期为(3.2±0.2) s. 利用统计模型理论计算和实验值的比较以及系统性分析,暂时指定81Zr的基态自旋和宇称为3/2-,85Mo的基态自旋和宇称为1/2-. 81Zr的质量剩余为(-58.3±0.2) MeV, 85Mo的质量剩余为(-59.1±0.4) MeV. 结合实验测得的半衰期和理论计算所得的质子发射部分半衰期,得81Zr延迟发射质子的分支比为(1.2±0.2)×10-3,85Mo延迟发射质子的分支比为(1.4±0.2)×10-3. 相似文献
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