ITO材料在减反射膜设计中的应用

改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2～24.6Ω/□的试验结果.     

用衍射光栅和CCD测量透明材料折射率

介绍了一种基于衍射光栅干涉和CCD图像测量的测量透明材料折射率的方法。这种方法使用的仪器少,操作简单,配合CCD与图像处理的运用,尝试的两种测量方案都使精度能够达到10^-4。两种测量方案对同一玻璃基片的测量结果基本吻合,而第二种测量方案的测量精度要优于第一种,这是因为就我们目前的实验条件而言,CCD判别条纹移动的精度对折射率测量的影响要小于角度测量精度对之的影响。该方法还可以测量各向同性透明薄膜样品的折射率,为探索新型有机薄膜的折射率及其有关特性提供便利的手段。讨论了测量的基本原理和样品的测量结果,并对实验方法误差进行了分析。     

Characterization of Tin(IV) Oxide Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of cis‐[SnCl4{OC(H)OC2H5}2]

A new single‐source precursor, [SnCl₄{OC(H)OC₂H₅}₂], prepared by treating tin tetrachloride with ethyl formate (1:2 ratio) was developed for the deposition of tin oxide thin films on glass substrates. The compound [SnCl₄{OC(H)OC₂H₅}₂] is highly volatile and provides very high growth rates (up to 100Å s^?1 at 560 °C) in an atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) reactor. More significantly, the compound does not decompose to tin oxide below 320 °C, thereby minimizing the formation of particles in the vapor above the growing tin oxide film. To prepare highly conducting fluorine doped tin oxide (SnO₂:F) films 2,2,2‐trifluoroethyl trifluoroacetate was used as the source of fluoride. High quality SnO₂:F films were deposited at 560 °C with a flow rate of 2 mL fluoride reagent hr^?1; typical film properties are resistivity of 5.9 X 10^?4 Ω cm, Hall mobility of 27.3 cm² V^?1 s^?1, carrier concentration of 3.9 X 10²⁰ cm^?3 and percent transmission ranging from 86 to 88 %. The best films of SnO₂:F possess transparencies as high as 90 % (750 nm), sheet resistances as low as 7 Ω sq^?1 and Haacke's figure of merit as high as 29 X 10^?3 (750 nm). The newly developed APCVD reactor and the chemistry were optimized with respect to structural, electrical and optical properties of the films by adjusting the substrate temperature, gas flow rates and the amount of fluoride present in the vapor stream. Growth rates with respect to deposition time, substrate temperature and flow rates of precursors were found to be similar for both undoped (SnO₂) and doped (SnO₂:F) samples. The SnO₂:F films possess larger grains than the SnO₂ which may account for the lower resistivity and the higher mobility in the SnO₂:F samples.     

A／W生物活性微晶玻璃的制备

生物活性玻璃陶瓷材料由于能够与活体组织自发产生紧密的化学键合而成为骨修复材料中的重要分支,其中A／W生物微晶玻璃更是由于在保持良好生物活性的基础上,力学性能接近甚至超过自然骨而作为承重的生物活性材料应用于临床。采用正硅酸乙酯和磷酸三乙酯,利用溶胶-凝胶法制备玻璃粉体,这种玻璃粉体经过一定的热处理工艺可以得到含有磷灰石和硅灰石的A／W生物微晶玻璃。     

有ITO透明导电膜的平面分层介质系统的电磁波性能理论研究

理论研究了有ITO(indium tin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能，给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层介质系统的电磁性能与ITO膜(方块电阻为8Ω)所在界面位置和平面分层介质系统层数及各层厚度等有关.优化设计了一种含有ITO透明导电膜的厚度仅7.35mm的四层平面分层介质系统，其在8—18GHz频段内电磁波反射性能很好.作为多层平面分层系统中的ITO导电膜，其方块电阻应低于30Ω，并且越小，其反射性能越好. 关键词： 多层平面介质系统 电磁性能 ITO透明导电膜     

Nb掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Nb掺杂ZnO( NZO)透明导电薄膜.为了研究薄膜厚度对薄膜性质的影响,制备了五个厚度分别为239 nm,355 nm,489 nm,575 nm和679 nm的样品.XRD结果表明,ZnO∶ Nb薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,并且具有垂直于衬底的c轴择优取向.随着膜厚的增加,薄膜的结晶质量明显提高.当厚度从239 nm增加到489 nm时,平均晶粒尺寸从19.7 nm增加到24.7 nm,薄膜的电阻率持续减小;当厚度进一步增加时,晶粒尺寸略有减小,电阻率有所增加.本实验获得的最低电阻率为4.896×10-4Ω·cm.随膜厚的增加,光学带隙先增大后减小.所有薄膜在可见光区域的平均透过率均超过88.3;.     

Review of flexible and transparent thin-film transistors based on zinc oxide and related materials

Flexible and transparent electronics enters into a new era of electronic technologies.Ubiquitous applications involve wearable electronics,biosensors,flexible transparent displays,radio-frequency identifications(RFIDs),etc.Zinc oxide(ZnO) and relevant materials are the most commonly used inorganic semiconductors in flexible and transparent devices,owing to their high electrical performances,together with low processing temperatures and good optical transparencies.In this paper,we review recent advances in flexible and transparent thin-film transistors(TFTs) based on ZnO and relevant materials.After a brief introduction,the main progress of the preparation of each component(substrate,electrodes,channel and dielectrics) is summarized and discussed.Then,the effect of mechanical bending on electrical performance is highlighted.Finally,we suggest the challenges and opportunities in future investigations.     

齿科二硅酸锂玻璃陶瓷的滑动磨损行为

在人工唾液润滑条件下,利用销—盘磨损试验机研究了齿科二硅酸锂玻璃陶瓷的滑动磨损行为.结果表明:二硅酸锂玻璃陶瓷的磨损过程呈现显著的跑合磨损期,且跑合期的磨损率远大于稳定磨损期的磨损率;减小原始表面粗糙度可缩短跑合期,降低跑合期的磨损率.在二硅酸锂玻璃陶瓷的显微组织中,虽然二硅酸锂晶体相比玻璃基体具有更高的硬度,但在跑合磨损期却更容易发生剥落磨损,造成跑合期磨损表面粗糙度的显著变化,这种现象可能与二硅酸锂晶体具有较低的弹性断裂应变能力(H/E比值)有关.     

基于石墨烯及其衍生物的信息存储:材料、器件和性能

石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯(C₆₀、C₇₀)的功能化一样,利用共价键合修饰或非共价键合修饰的方法可以在石墨烯表面或石墨烯体系中引入功能基团或功能组分,制备出种类繁多的具有特殊光、电、磁和生物效应的石墨烯衍生物。以石墨烯作为数据存储介质的分子级别计算已经引发了一场信息技术产业的革命,它能在更小的空间上,使用更少的能源来存储更多的数据信息, 有望成为目前基于硅半导体存储技术的潜在替代或补充技术。基于石墨烯的存储器件展现出优良的数据存储性能、器件稳定性和可靠性,为使这类器件具有更好的实际应用前景,人们采用许多技术手段来调控和优化器件性能。本文综述了近年来引起广泛关注的诸如石墨烯、共价修饰的石墨烯、石墨烯基复合材料、石墨烯/无机材料异质结等基于石墨烯及其衍生物的存储器件及相关材料研究进展,以及石墨烯/还原的氧化石墨烯透明电极在存储器件中的应用。探讨了该领域存在的亟待解决的关键基础问题和未来发展方向。