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21.
1引言CPL(毛细泵两相流回路)能传输较高的热负荷,而且不需要循环泵、阀门等运动部件,重量轻可靠性好;在飞行器热控制方面有很好的应用前景[1]。CPL在恶劣的空间环境中运行,需要防止工作介质出现冷冻,为此,我们已经用解析[2]和数值的方法[3]进行了初步的分析,得到了一些可供工程设计参考应用的结果。另外,在恶劣的空间环境中,如果出现冻结,需要融化起动,热管的安全设计需要研究它的融化特性,以确保热管在空间能正常运行。双倒易边界元方法用Laplace基本解[4],通过对一类偏微分方程两侧进行转化,将它全部转化为纯边界积分…  相似文献   
22.
The singularly perturbed boundary value problem for nonlinear higher order ordinary differential equation involving two small parameters has been considered. Under appropriate assumptions, for the three cases:ε/μ2→0(μ→0),μ2/ε→0 (ε→0) andε=μ2, the uniformly valid asymptotic solution is obtained by using the expansion method of two small parameters and the theory of differential inequality.  相似文献   
23.
We investigate the influence of slip boundary conditions on the onset of Bénard convection in an infinite fluid layer. It is shown that the critical Rayleigh number is a decreasing function of the slip length, and therefore boundary slip is seen to have a destabilizing effect. Chebyshev‐tau and compound matrix formulations for solving the eigenvalue problem are presented. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
24.
谢胜利 《大学数学》2002,18(3):9-12
本文定义了二阶微分方程的弱 Carathéodory解 ,在不涉及紧型条件的情形下 ,直接用迭代法证明了 Banach空间二阶非线性常微分方程两点边值问题存在唯一解 ,并给出逼近解迭代序列的误差估计 ,对周期边值问题得到类似的结果  相似文献   
25.
ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
仲飞  叶勤  刘彭义  翟琳  吴敬  张靖垒 《发光学报》2006,27(6):877-881
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。  相似文献   
26.
郑分刚  陈建平  李新碗 《物理学报》2006,55(6):3067-3072
选用不同浓度的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3溶胶,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT52)过渡层,经400℃烘烤、550℃退火等程序后,再用Sol-gel法在PZT52过渡层上沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O 关键词: PZT铁电薄膜 择优取向 过渡层 剩余极化强度  相似文献   
27.
28.
Time‐dependent differential equations can be solved using the concept of method of lines (MOL) together with the boundary element (BE) representation for the spatial linear part of the equation. The BE method alleviates the need for spatial discretization and casts the problem in an integral format. Hence errors associated with the numerical approximation of the spatial derivatives are totally eliminated. An element level local cubic approximation is used for the variable at each time step to facilitate the time marching and the nonlinear terms are represented in a semi‐implicit manner by a local linearization at each time step. The accuracy of the method has been illustrated on a number of test problems of engineering significance. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. Numer Methods Partial Differential Eq 2006  相似文献   
29.
The structural properties of polycrystalline silicon films, prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition system, with different flow rates of SiH4/SiF4 mixtures at 300 °C were investigated. This study indicates that the low hydrogen coverage on the growing surface, under optimum fluorine radicals, will be leaded to an improvement of crystallized area as compared with case of high hydrogen coverage surface. Moreover, the studies of the role of SiH4 and SiF4 radicals show that the SiH4 radicals are important in the nucleation and growth of grains. However, SiF4 radicals are effective in the structural change of grain boundaries regions and by this way, in the present system, establish the growth of grains under the dominant 〈1 1 0〉 direction. The stress investigation indicates that addition of high flow rate of SiF4 in amorphous film, results in the nearly stress free films. Finally, we found that the changes in g-value reflect the changes in the intrinsic compressive and tensile stress in the both polycrystalline and amorphous silicon films.  相似文献   
30.
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