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101.
对70 GHz二次谐波倍频回旋速调管高频结构和电子与波互作用进行了研究。研究了TE02模腔体绕射品质因数及模式转化,解决了二次谐波倍频回旋速调管漂移段不能截止70 GHz的TE01模而引起的腔体间高频串扰的问题。分析了注电流、输入功率、电子横纵速度比和电子注引导中心半径等参数对输出功率、增益和效率的影响。针对二次谐波回旋速调管放大器工作频带窄、效率低,进行了高频结构优化设计,显著地展宽了工作频带,提高了互作用效率。在理论分析和高频计算的基础上,建立了注-波互作用PIC(粒子模拟)模型,进行了粒子模拟计算和优化,得到了70 GHz 的二次谐波倍频四腔回旋速调管放大器设计方案。粒子模拟结果表明:在工作电压70 kV,注电流13 A,电子注横向速度与纵向速度比为1.5时,中心频率69.81 GHz输出功率256 kW,带宽160 MHz,电子效率28%,饱和增益大于44 dB。 相似文献
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The melting curve of MgSiO分子动力学 MgSiO3钙钛矿 熔化温度 高压 melting temperature, molecular dynamics, high pressure Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10274055 and 10376021),the Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No 3ZS051-A25-027) and the Scientific Research Foundation of Education Bureau of Gansu Province, China (Grant No 0410-01). 2005-01-12 5/8/2005 12:00:00 AM The melting curve of MgSiO3 perovskite is simulated using molecular dynamics simulations method at high pressure. It is shown that the simulated equation of state of MgSiO3 perovskite is very successful in reproducing accurately the experimental data. The pressure dependence of the simulated melting temperature of MgSiO3 perovskite reproduces the stability of the orthorhombic perovskite phase up to high pressure of 130GPa at ambient temperature, consistent with the theoretical data of the other calculations. It is shown that its transformation to the cubic phase and melting at high pressure and high temperature are in agreement with recent experiments. 相似文献
103.
Surface reconstructions of InGaAs alloys 总被引:1,自引:0,他引:1
The surface reconstructions of InxGa1−xAs alloys grown by molecular beam epitaxy on the (0 0 1) surfaces of GaAs and InAs have been studied by reflection high-energy electron diffraction and scanning tunnelling microscopy. A surface phase diagram is presented for the nominally strain-free alloy as a function of substrate temperature and alloy composition, and structural models for the commonly observed 3× reconstructions are discussed. Two new, electronically stable structural models are described that account for the transition of the InxGa1−xAs surface alloy from a c(4 × 4) to an asymmetric 3× reconstruction and that are fully consistent with all current experimental evidence. 相似文献
104.
105.
106.
金属的冲击温度及熔化温度测量对构建其完全状态方程具有重要意义。简要综述了用于金属冲击温度及熔化温度辐射法测量的一维热传导理想界面模型和非理想界面模型,并着重对模型中明示或隐含的关键假定的合理性、影响金属冲击温度与熔化温度结果的主要因素进行了分析、讨论,以期对实验数据有一个合理的评估。还讨论了求解理想和非理想界面模型一维热传导方程界面温度时所隐含的冲击压缩下热导率不随温度而变、冲击压缩下金属样品/窗口界面辐射的灰体假定,以及窗口材料的透明性、非理想界面模型中表观界面温度的修正、动载条件下金属高压熔化温度的测量、界面的非Flourier热传导等问题。分析结果表明,目前采用辐射法测量大致可以得到冲击温度,在发生熔化的情况下可获得熔化温度,但离精密测量的要求还有较大差距。 相似文献
107.
108.
Cr-doped mullites were prepared from single-phase precursors containing up to 9.60 wt% Cr2O3 using a sol-gel technique followed by thermal treatment. Particle induced X-ray emission spectroscopy and X-ray powder diffraction were used to characterize the samples. Mullites were orthorhombic, space group Pbam. Cr doping caused the increase of unit-cell parameters. Strongest expansion was noticed along c-axis followed by a and b (Δc/c=0.089, Δa/a=0.061, Δb/b=0.045% per mole Cr2O3). A second phase, namely θ-(Al,Cr)2O3, was revealed by XRD in the sample containing 9.60 wt% Cr2O3. The structure of mullites was refined by the Rietveld method, location of Cr3+ was performed by the EPR spectroscopy. At low chromium doping level (Cr2O3 content less than ∼5 wt%) Cr3+ ions were substituted for Al3+ in the AlO6 octahedra of the mullite structure (M1 site). For higher doping level, Cr3+ ions were additionally substituted for Al3+ in the AlO6 octahedra of the second phase [θ-(Al,Cr)2O3 at 1400 °C, or α-(Al,Cr)2O3 at 1600 °C] which segregated in the system. Substitution of Cr3+ for Al3+ on M1 site in the mullite structure resulted in increase of average distances in (M1)O6 octahedron and decrease of average distances in T*O4 tetrahedron, while average distances in TO4 tetrahedron stayed almost constant. 相似文献
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110.