先驱体聚合物粘结法制备SiC纳米多孔陶瓷

采用SiC纳米粉体与聚碳硅烷(PCS)为原料低压成型低温烧结制备SiC纳米多孔陶瓷,研究了PCS含量对烧成纳米多孔陶瓷性能的影响。SEM和AFM微观形貌分析表明,PCS裂解产物将SiC纳米颗粒粘结起来,烧成陶瓷内部有大量的纳米孔存在。烧成SiC纳米多孔陶瓷孔径分布呈单峰分布、孔径分布范围窄,随着PCS含量的增大烧成多孔陶瓷强度增大,但孔隙率降低、烧结过程中坯体尺寸线收缩率增大。PCS含量为20wt%时三点弯折强度为36.8MPa,孔隙率为39.5%,平均孔径为49.3 nm。     

The use of sublimable chlorotricarbonyl bis(phenylimino)acenaphthene rhenium(I) complexes as photosensitizers in bulk-heterojunction photovoltaic devices

A series of sublimable substituted chlorotricarbonyl bis(phenylimino)acenaphthene rhenium(I) complexes was synthesized and used in the fabrication of photovoltaic devices. The hole and electron carrier mobilities of these complexes are in the order of 10⁻³ to 10⁻⁴ cm² V⁻¹ s⁻¹. Heterojunction devices with CuPc/complex/C₆₀ (CuPc = copper phthalocyanine) as the active layer and bulk heterojunction devices with complex:C₆₀ as the active layer were fabricated. The rhenium complexes function as photosensitizer in the devices, and exhibit optical absorption in the region between 500 and 550 nm within which other components in the device do not absorb. Other devices with hole transport materials, exciton blocking materials, and different active layer thickness were also fabricated. Variation of substitution groups in the ligand did not show significant difference in device performance. The best power conversion efficiency of the devices was measured to be 1.29% under illumination of AM1.5 simulated solar light.     

AlN含量对SiC基复相陶瓷性能的影响

以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃下制备了SiC基复相陶瓷.研究了不同AlN含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:不添加AlN时,试样致密性最差,气孔率和体积密度分别为4.71;和2.43 g/cm3.AlN含量升高至5wt;时,试样致密性有所提高.AlN含量进一步升高至10wt;～20wt;,试样完全致密,气孔率和体积密度分别保持在0.20;和3.31 g/cm3.在AlN含量为10wt;时,样品具有最高的热导率51.62 W·m-1·K-1,同时弯曲强度和断裂韧性达到顶点,分别为731.3 MPa和7.3 MPa·m1/2.     

高温下C/SiC复合材料弯曲断裂性能实时测试和微观结构表征分析

采用先驱体浸渍裂解法制备三维编织的C/SiC复合材料,利用自主研发的高温散斑制作技术和改进的三维变形光学测试系统,基于数字图像相关技术测试原理,在高温小尺度下实时表征分析C/SiC复合材料的力学性能。运用X射线衍射和扫描电子显微镜测试分析了材料高温氧化情况、显微组织结构及裂纹扩展情况。研究表明:温度对C/SiC复合材料的性能有很大的影响。随着温度的升高,材料由脆性断裂逐渐转变为韧性断裂;材料的断裂韧性由7.98±0.12MPa·m~(1/2)减小到2.76±0.11MPa·m~(1/2),断裂强度从251.40±2.71MPa减小到86.94±1.82MPa。本文为掌握C/SiC复合材料的高温失效机理提供了一种有效的实验测试技术和方法。     

聚合物级联发光器件

基于溶液加工方法制备了聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)/氧化锌(ZnO)/乙氧基化聚乙烯亚胺(PEIE)电荷产生层的聚合物级联发光器件, 发现PEDOT∶PSS层电导和厚度对器件的电流-电压特性影响较小, 不同PEDOT∶PSS对器件发光效率的影响主要来自于其对发光层激子不同的猝灭作用, PEDOT∶PSS厚度为60 nm的级联器件比PEDOT∶PSS 厚度为30 nm的级联器件的发光效率稍高, 原因是PEDOT∶PSS较厚时, 其表面形貌更均匀。级联器件的发光效率和驱动电压分别与发光子单元的发光效率和驱动电压之和相近, 说明在较低的电压下电荷产生层就能够有效产生电荷并注入到发光子单元中,级联器件的发光光谱中包含两个发光子单元的发光光谱,说明两个发光子单元在级联器件中都能正常工作。通过对电荷产生层的电容-电压(C-V)特性的测试, 确认了在电荷产生层中存在电荷的积累过程。证明了PEDOT∶PSS/ZnO/PEIE为有效的电荷产生层。首次报道了包含三个SY-PPV发光单元的级联器件, 三个发光子单元发光效率之和与级联器件的发光效率相当, 其最大发光效率和最大外量子效率分别为21.7 cd·A-1和6.95%。在器件亮度为5 000 cd·m-2时, 器件的发光效率和外量子效率分别为20.5 cd·A-1和6.6%。说明并没有由于发光子单元数目增加而影响级联器件的发光效率。并且其发光光谱和发光子单元的发光光谱相接近。通过 进一步降低CGL中空穴注入层对级联器件的影响有望提高级联器件的发光效率。     

横向超声激励对金刚石线锯切割单晶SiC切割速度及切割机理影响

硬脆晶体材料如SiC、Ge和Si等,由于具有极高的硬度和脆性,普通线锯切割很难进一步提高硬脆材料晶片的切割效率和表面质量.本研究把超声振动应用到金刚石线锯切割单晶SiC.基于超声振动切削加工的特点,分析了柔性线锯横向振动切割单晶SiC的必要条件;建立了横向超声激励下柔性金刚石线锯对SiC工件的动态切割过程模型,研究分析了超声振动对线锯间歇切割弧长及切割速度的影响,得到横向超声振动线锯切割速度增量的数学表达式.基于压痕裂纹模型,讨论了横向超声振动线锯切割和普通线锯切割对切割速度、切割力和表面粗糙度的影响.以单晶SiC为切割对象,对普通线锯切割和超声振动线锯切割进行了对比实验,结果表明在相同条件下,超声振动线锯切割使晶片的表面粗糙度有明显改善,超声振动线锯的切割速度比普通线锯切割的速度提高了约45;,锯切力减少28;~53;.实验结果与理论分析具有良好的一致性.     

无机铅卤钙钛矿纳米晶的合成、性能及应用

无机铅卤钙钛矿CsPbX₃(X=Cl,Br,I)纳米晶因具有较高荧光量子效率(~90%)、发光波长覆盖整个可见光谱(400~700 nm)、半高宽相对较窄(12~42 nm)等诸多优点而备受关注,这些性能使之成为当前最具有潜在应用价值的发光材料之一。 因此,近年来对该类无机铅卤钙钛矿材料的报道越来越多。 本文主要介绍了无机铅卤钙钛矿发光材料的发展历程、结构、制备方法、生长机理及当前的主要应用领域等,最后概括了无机铅卤钙钛矿发光材料在当前研究背景下所面临的问题并展望了下一阶段的发展方向,为进一步提高其光学性能及开发新型高效的无机铅卤钙钛矿发光材料奠定基础。     

A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial graphene on silicon carbide

A self-powered graphene-based photodetector with high performance is particularly useful for device miniaturization and to save energy.Here,we report a graphene/silicon carbide(SiC)-based self-powered ultraviolet photodetector that exhibits a current responsivity of 7.4 m A/W with a response frequency of over a megahertz under 325-nm laser irradiation.The built-in photovoltage of the photodetector is about four orders of magnitude higher than previously reported results for similar devices.These favorable properties are ascribed to the ingenious device design using the combined advantages of graphene and SiC,two terminal electrodes,and asymmetric light irradiation on one of the electrodes.Importantly,the photon energy is larger than the band gap of SiC.This self-powered photodetector is compatible with modern semiconductor technology and shows potential for applications in ultraviolet imaging and graphene-based integrated circuits.     

荧光碳点的合成、性质和应用

与传统半导体发光材料相比,荧光碳点作为一种新型的碳纳米发光材料,因其优异的生物相容性、良好的发光性能、简单的合成工艺、低廉的成本等优点而备受关注。荧光碳点在生物荧光标定、医学传感器、光诊疗剂以及发光器件等方面具有广阔的应用潜力。本文重点阐述了荧光碳点的合成方法、显微结构分析、荧光机理及应用的最新成果,希望为荧光碳点合成与应用研究的发展提供参考。