直接观测磁通密度分布和运动的磁光图像技术

阐述了应用法拉第磁光旋转效应将磁通密度分布转换为亮度分布的图像，介绍了用微机采集和处理这种磁光图像，直接观测和研究磁通密度分布和运动，研究超导体的磁通动力学和磁性材料的磁性结构，叙述了目前应用磁光图像技术研究高温超导体性质和实用高温超导带材方面的最新进展．     

LaBaMnO薄膜的铁磁共振

用电子自旋共振实验研究La_0.65Ba_0.35MnO₃(LBMO)薄膜的磁性,从磁性膜的各向异性铁磁共振谱得到不同角度θ_h时的共振磁场B_r,求出样品的等效磁场B_eff及旅磁比γ,并通过样品的饱和磁化强度M_s,求出各向异性常数K.     

强磁场下Er2Ga5O12的磁晶各向异性

用量子理论定量计算了Er3Ga5O12在强磁场作用下,温度为42K,外磁场沿着[001],[100],[110]和[111]四个方向的磁化强度.可以看出,磁化强度随着外磁场呈很强的各向异性,而在低温弱磁场下,磁化强度和外磁场呈线性关系 关键词： 磁晶各向异性 磁化强度     

在Pd/Cu(100)表面上外延的超薄Co膜的结构和磁性

利用脉冲激光溅射(PLD)和分子束外延(MBE)方法制备了超薄膜系统 Co/Pd/Cu(100).脉冲激 光溅射生长的单原子Pd层呈现了很好的二维生长模式.在这个Pd表面上，分子束外延生长的C o层直至12个原子层都表现了层-层生长模式.利用俄歇电子谱(AES)和低能电子衍射(LEED)研 究了该系统的表面结构.利用低温磁光克效应(MOKE)研究了系统的磁学性质.结构研究表明， Co层由于面内晶格失配应力而具有一个四方正交结构；与对比样品Co/Cu(100)的比较研究说 明Pd层的存在强烈地改善了Co膜的起始生长模式和结构.磁光克效应测量表明，Pd层的存在 改变了Co层的磁学性质. 关键词： 薄膜的磁性质 组织与形貌 界面磁性     

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V，Cr，Mn，Fe，Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算，结果发现：V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM)，Mn，Fe以及Co掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM)，而Ni掺杂时，稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定，其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS，当TM-3d电子的t2g态部分被填充时，其掺杂的DMS将出现FM状态；而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时，其掺杂的DMS将出现AFM状态，在(Cd，Mn)GeP，和(Zn，Mn)(GeP2中分别掺入电子和空穴载流子，可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是。DMS是否出现FM状态的主要原因。     

没有热效应的新型磁光测试装置

介绍了一种新型的磁光测试装置.根据法拉第磁致旋光效应,使用永磁片代替以往通电螺线圈产生磁场,不会产生热量,可以消除热效应对磁光介质费尔德常量的影响.通过实验测出这种磁场的分布特点,给出该装置的调节方法,并测出292 K温度下LaK2,LaK3,Tb20,Tb25,ZF6玻璃的费尔德常量.本实验为地磁成像技术提供了实验数据,并推动了该研究的进展.     

振动-转动相变的解析描述

本文用1/N展开技术,计算了Sm同位素的低能谱和E2性质,并与T.Otsuka等人的精确计算结果进行了系统比较,表明振动-转动相变可以用近似的解析方法描述.     

原子间的偶极相互作用对其在腔场中辐射谱的影响

研究了两个通过偶极-偶极力关联的两能级原子在单模腔场中的辐射谱,发现原子间偶极-偶极力的贡献;使辐射谱偏离关于中心频率的对称性.对真空场和强场情况作了细致的讨论.     

形变量对MAE及BN的影响

研究了无取向硅钢Ｗ２３Ｇ，Ｗ１０，Ｗ１４和取向硅钢Ｑ８Ｇ４种材料在不同形变量下的磁声发射（ＭＡＥ）和巴克豪森噪音（ＢＮ），结果表明ＭＡＥ随形变量增大而减少，ＢＮ随形变量的增大而增大．测量了形变量为１０．４％的Ｗ１８和Ｗ２３Ｇ在１００，２００，３００，…，７００°Ｃ各退火１ｈ的ＭＡＥ与ＢＮ值．其中ＭＡＥ值随退火温度的升高逐渐增大，ＢＮ值在高于５００°Ｃ退火时明显下降．并对上述实验结果进行了详细讨论．     

Amorphous Fe—Co—Sm—B合金系的Magnon有效质量和Magnon比热

根据Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ合金Ｆｅ－Ｃｏ－Ｓｍ－Ｂ系的磁性实验结果，利用铁磁自旋波理论，定量地估计了此类合金系的Ｍａｇｎｏｎ的有效质量及自旋波对磁比热容的贡献。