黄酮类天然产物13C NMR数据的计算机检索和辅助解析(Ⅱ)黄酮类天然产物的13C NMR数据规律及其在智能解析中的应用

本文通过对大量的黄酮类化合物¹³C NMR图谱的分析和研究,总结了不同类型的黄酮类化合物的¹³C NMR图谱特征及化学位移规律.对影响黄酮类化合物结构骨架上不同位置碳原子化学位移的因素进行了分析,建立了用于黄酮类天然产物¹³C NMR图谱智能解析的知识库.     

非晶态锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5的电学性质和电子自旋共振研究

对两种非晶态B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃-0.1V₂O₅(x=0.05和0.15),用差热分析、电导率测量、X射线衍射和电子自旋共振进行研究,发现:1)V₂O₅不仅作非晶网络形成剂,而且改变了晶化过程;2)对B₂O₃-Li_{2关键词：}     

NASICON型化合物结构的NMR研究

在水热晶化合成一系列NASICON型化合物的基础上,应用固体高分辨³¹P和²⁹Si MAS NMR,研究了几种NASICON化合物的结构,观察其骨架原子P和Si在结构中的状态及分布,并解释了由于在结构中发生取代作用而引起,Si或P的化学位移的变化.     

电子与原子、离子碰撞过程的相对论效应

在玻恩近似下,建立了高能电子与原子、离于非弹性碰撞过程的相对论性理论计算方法,并以类Li等电子系列为例,阐明了电子与原子、离子非弹性碰撞过程的相对论效应.它包括:1.靶原子的相对论效应,它随原子序数的增加而增大.低z靶(如Li)的相对论效应可以忽略;对Au~(+76)靶的2_3—3p跃迁,广义振子强度相对论性计算值比相应的非相对论性值小27.1%.2.入射电子的相对论效应,它随入射电子能量的增加而增大.对高能入射电子,在特殊角度,要考虑广义振子强度横场项对微分截面的影响.在极端相对论情况下,如入射电子动能 关键词：     

薛定谔猫态的产生与探测及其对Jaynes-Cummings模型的影响

利用大失谐情况下的简并喇曼过程和双光子Jaynes-Cummings模型来产生电磁场中的宏观量子叠加态,即薛定旋风谔猫态,并探讨如何用零频检测的方法来探测这些态。研究了当电磁场初态为薛定谔猫态时,对强度耦合的Jaynes-Cummings模型中原子反转的崩塌与再生现象的影响,将在以相干态为初态所产生的原子反转的崩塌区产生不同程度的再生现象。 关键词：     

The uv-Decomposition on a Class of D.C. Functions and Optimality Conditions

In this paper,the UV-theory and P-differential calculus are employed to study second-order ex-pansion of a class of D.C.functions and minimization problems.Under certain conditions,some properties ofthe U-Lagrangian,the second-order expansion of this class of functions along some trajectories are formulated.Some first and second order optimality conditions for the class of D.C.optimization problems are given.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发

关键词：     

牛顿弦截法预估校正迭代格式的收敛阶

研究如下形式的牛顿弦截法的预估校正(P.C.)格式:P(预估):~xk+1=xk-(xk-xk-1)f(xk)f(xk)-f(xk-1)C(校正):xk+1=xk-(~xk+1-xk)f(xk)f~(xk+1)-f(xk)证明了它的收敛阶为2.618.