单扫描示波极谱测定痕量银

本文首次提出了运用单扫描极谱直接测定银的方法。在含N-烯丙基-N′-对苯磺酸钠硫脲及四乙烯五胺的硼砂缓冲液中,银离子在-0.66V(相对饱和甘汞电极)有一灵敏还原波。运用经典极谱或单扫描极谱,此波均可用于微量银的定量测定。“银波”的单扫描示波极谱波可在5×10~(-7)～3×10~(-5)mol/L范围内检测银。方法已用于废定影液中银含量的分析,结果满意。     

现代物理信息

 NATURE《自然》1991年.1.G.J.Fishman等《用长时间曝光设备在宇宙飞船表面观测⁷Be》349卷6311期沿轨道运行的人造卫星上的长时间曝光设备,在空间差不多6年,最近返回地球,从放射性的测量中,在长时间曝光设备的前沿,找到了一定数量的同位素⁷Be.本文的测定,可以把⁷Be作为外大气层示踪物以及空间表面相互作用研究的应用.     

有限维路代数的K_1群

本文通过计算有限维路代数k△的单位群和单位群的阿贝尔化,完全刻划了 任意域上有限维路代数的K1群.     

Exchange环的K0群的正向凸子群格

本文证明了：(1)Exchange环R的K0群的正向凸子群格同构于R的稳定余有限半本原理想格；(2)稳定有限、半本原的exchange环R是单的当且仅当它是K0-单的并且满足逼近弱s^*—可比性，推广了Goodearl，Ara等人的结果。     

主范式的运算性质

研究了极大项、极小项的运算性质 ,利用这些性质给出了求 A,A∨ B,A∧ B,A→ B,A B的主范式的公式 ,由此可用程序化的方法求任意公式的主范式 .     

多金属氧酸盐α-Na6H[GeW9Fe3(H2O)3O37]·16H2O的合成和光谱

合成了多金属氧酸盐α-Na6H[GeW9Fe3(H2O)3O37]16H2O，通过元素分析、红外、紫外、光电子能谱、极谱和穆斯堡尔谱等手段进行了表征，并讨论和研究了该配合物的谱学性质。     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.