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用传统的预测效度估计法估计高考预测效度,其估计值往往偏低。为此,本文应用回归分析中混合估计理论提出了高考预测效度的混合估计。这种估计是预测效度的无偏估计,并解决了预测效度估计值偏低的问题。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3+:Al2O3光学薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后,SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0.01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向,掺摩尔比0.01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构,平均粒径为30~100nm,平均孔径为50~100nm,表面起伏度为10~20nm。掺摩尔比0.01Er^3 :rAl2O3薄膜,获得了中心波长为1.534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。 相似文献
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Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
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下面是笔者根据2005年全国高中数学联赛浙江省预选题改编而成的一道排列组合综合问题,它的视角较多,解题入口很宽,现将该题的两个视角五个入口展示给读者. 相似文献
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Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition (PLD). Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results. 相似文献
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