室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析

以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了InI多晶料,研究了高纯InI多晶合成工艺.用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的InI多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定.研究结果表明:合成的InI多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c =0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1.     

酞菁氯化铟的固相合成及光敏性能

以尿素、邻苯二甲酸酐、钼酸铵和四水合三氯化铟为原料, 乙酸钠为催化剂, 采用固相法合成酞菁氯化铟, 并用元素分析、UV-Vis、IR和XRD进行了表征. 考察了反应物配比、催化剂、反应温度和时间对产率的影响, 寻找出最佳制备条件为n(尿素)∶n(邻苯二甲酸酐)∶n(三氯化铟)=14∶4.5∶1, 以乙酸钠为催化剂, 130 ℃下恒温0.5 h, 在220 ℃下反应4 h后, 用88％(质量分数)浓硫酸提纯. 研究了酞菁氯化铟光敏电阻薄膜的光敏性能, 结果表明, 当用0.2 g酞菁氯化铟和0.6 g PVB制备光敏电阻薄膜时, 分散介质丁酮-环己酮的最佳用量为36 mL, 其电阻灵敏度保持在1.50×10⁸以上, 积分灵敏度保持在30 μA/(lx·V)以上. 研究结果表明, 酞菁氯化铟光敏电阻薄膜具有很好的光敏性能.     

偏转法研究普鲁士蓝及六氰亚铁铟膜与电解质溶液间的离子效应

用现场偏转法结合循环伏安法研究了普鲁士蓝（ＰＢ）及六氰亚铁铟（ＩｎＨＣＦ）膜的电化学氧化还原过程。证实了ＰＢ膜的离子交换的机理为：且酸性条件下还原ＰＢ膜是Ｈ~＋先于Ｋ~＋进入膜内。还原态的ＩｎＨＣＦ膜氧化时，溶液中的阴阳离子同时参与了该反应，但随着阴离子的增大，Ｋ~＋成为该反应的主要参与者。     

记录薄膜Te—In—Sb光学性质的研究

采用高频溅射方法制成Te-In-Sb系统的非晶态薄膜.系统的研究了不同组分薄膜的透射、反射谱,及其在结晶过程中的变化.用透射电镜研究了Te-In-Sb薄膜的结构和晶化过程.分析了组分对薄膜的吸收系数、介电常数、光学能隙等光学性质的影响.并由此综合评价了Te-In—Sb系统中比较适合作为光盘介质的组成.     

Studies on Room Temperature Ionic Liquid Prepared from InCl3—MBIC

The phase diapgram of InCl23-MBIC was constructed by DSC method .A clear,colorless and mobile ionic liquid was obtained and liquid down to 258K ,Both Raman Scattering and ab initio calculations indicate that InCl4 is the predominant anion.     

应用分子吸收光谱研究铟石墨炉原子吸收中高氯酸及其盐的干扰机理

本文利用分子吸收光谱法探讨了高氯酸和高氯酸镁干扰铟石墨炉原子吸收的机理，实验结果表明，其干扰均由于生成ＩｎＣｌ分子而挥发损失的缘故，高氯酸的干扰主要发生在原子化过程中，而高氯酸镁的干扰则主要发生在灰化之后的升温过程中，基体改进剂钯和抗坏血酸的同时存在，能完全抑制ＩｎＣｌ和ＭｇＣｌ分子的生成，从而能有效地消除其干扰。     

混合胶束对铟（Ⅲ）—邻氯苯基荧光酮显色反应的影响及其作用机理的研究

比较了８种非离子表面活性剂与ＣＴＭＡＢ形成的混合胶束对Ｉｎ（Ⅲ）－邻氯苯基荧光酮显色反应的作用，以ＣＴＭＡＢ－Ｔｗｅｅｎ８０的增敏效果最佳。研究了Ｉｎ（Ⅲ）－ｏ－Ｃｌ－ＰＦ－ＣＴＭＡＢ－Ｔｗｅｅｎ８０体系的形成条件及混合胶束的作用机理，以拟定的方法测定复杂试样中的铟，结果很满意。