量子计算与超冷离子

通过介绍量子计算的基本概念和特点，并对比目前人们使用的计算机的计算方式，对于如何利用囚禁在离子阱中的超冷离子进行量子计算作了简要的叙述．     

纳米硅量子线的发现与研究

一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域．文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线（ＳｉＮＷｓ）的方法，介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果．纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景．     

GIRSANOV'S THEOREM ON ABSTRACT WIENER SPACES

ＧＩＲＳＡＮＯＶ’ＳＴＨＥＯＲＥＭＯＮＡＢＳＴＲＡＣＴＷＩＥＮＥＲＳＰＡＣＥＳＺＨＡＮＧＹＩＮＮＡＮＡｂｓｔｒａｃｔＬｅｔ（Ｅ，Ｈ，μ）ｂｅａｎａｂｓｔｒａｃｔＷｉｅｎｅｒｓｐａｃｅｉｎｔｈｅｓｅｎｓｅｏｆＬ．Ｇｒｏｓ．Ｉｔｉｓｐｒｏｖｅｄｔｈ...     

特征向量法建模与理论

本文从矩阵理论的角度，介绍特征向量法(亦称特征根法)建模过程中所遇到的理论问题。     

压缩迭加态及其特性

压缩迭加态是由迭加态通过压缩系统后产生的一种辐射经典态。这种具备了Ｗｉｇｎｅｒ相空间压缩和相干迭加压缩两种机制。详细讨论了这种压缩迭加态的量子统计性质及压缩特性。     

Entanglement Preserving in Quantum Copying of Three－Qubit Entangled State

We study the degree to which quantum entanglement survives when a three-qubit entangled state is copied by using local and non-local processes,respectively,and investigate iterating quantum copying for the three-qubit system.There may exist inter-three-qubit entanglement and inter-two-qubit entanglement for the three-qubit system.We show that both local and non-local copying processes degrade quantum entanglement in the three-particle system due to a residual correlation between the copied output and the copying machine.we also show that the inter-two-qubit entanglement is preserved better than the inter-three-qubit entanglement in the local cloning process.We find that non-local cloning is much more efficient than the local copying for broadcasting entanglement,and output state via non-local cloning exhiits the fidelity better than local cloning.     

相干态光场的位相统计性质

根据Pegg-Barnett位相定义，计算了相干态光场的位相概率分布函数，并且进行了数值模拟。研究表明在真空态时，位相分布曲线为一条直线；相干态下位相分布曲线表现为：均匀分布→泊松分布→均匀分布。     

电子与原子、离子碰撞过程的相对论效应

在玻恩近似下,建立了高能电子与原子、离于非弹性碰撞过程的相对论性理论计算方法,并以类Li等电子系列为例,阐明了电子与原子、离子非弹性碰撞过程的相对论效应.它包括:1.靶原子的相对论效应,它随原子序数的增加而增大.低z靶(如Li)的相对论效应可以忽略;对Au~(+76)靶的2_3—3p跃迁,广义振子强度相对论性计算值比相应的非相对论性值小27.1%.2.入射电子的相对论效应,它随入射电子能量的增加而增大.对高能入射电子,在特殊角度,要考虑广义振子强度横场项对微分截面的影响.在极端相对论情况下,如入射电子动能 关键词：     

不用Kirchhoff—Love假定的三维弹性板近似理论及其边界条件

红典弹性板理论采用了著名的克希霍夫（Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ）－拉甫（Ｌｏｖｅ）的经典基本假定，在卡氏张量坐标ｘｉ（ｉ＝０，１，２）中，这些基本假定是：（１）略去横向即Ｘ０轴向正应变，即假定ｅ００＝０；（２）略去横向剪应变，即假定ｅ０ａ＝０，其中ａ＝１，２；（３）略去横向正应力，即假定σ００＝０。人们利用这些假定，建立了应变位移关系和应力位移关系，再利用应力平衡的三维方程，通过跨厚度的积分，找到弹性板中     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。