Theoretical Study of Interesting Fine-Structure Splittings Based on a Scenario for Precise Calculations

Based on the multi-configuration Dirac-Fock self-consistent field method, a scenario has been presented to calculate the fine-structure energy levels of C^2＋ and Si^2＋ excited states （31 D2 and 33D1,2,3）. The Breit interactions and quantum electrodynamics corrections are added as perturbations. The present calculation results are found to be in excellent agreement with the experimental data. By means of the precise calculation procedure, we elucidate that four competitive mechanisms influence the interesting fine-structure splittings in C^2＋ and Si^2＋, such as spin-orbit interactions, relativistic corrections of exchange interactions, the Breit interactions and electron correlation effects. Furthermore, the mechanism of relativistic correction of exchange interactions has been studied clearly. We elucidate that the inner shell 2p1/2,3/2 orbitals are essential to relativistic corrections of exchange interactions which are crucial for the final anomalous fine-structure splittings.     

Entanglement Purification for Mixed Entangled Quantum Dot States via Superconducing Transmission Line Resonators

An entanglement purification protocol for mixed entangled states is presented via double quantum dot molecules inside a superconducing transmission line resonator （TLR）. In the current scenario, coupling for arbitrary double quantum dot molecules can be tuned via the TLR in the large detuning region by controlling the qubit level splitting. The TLR is always empty and only virtually excited, so the interaction is insensitive to both the TLR decay and thermal field. Discussion about the feasibility of our scheme shows that the entanglement purification can be implemented with high fidelity and successful probability.     

高纯锗中浅受主的光热电离光谱

在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.     

2．44-2．6MeV^178Hf核高激发态能级及性质

Coliins低能诱导6179Hfm^m2辐射衰变“正”面实验结果受到质疑的原因之一是未能确定出诱导实验的中间激发态。^178Hf核能级结构的实验数据表明：距同质异能态^178Hf^m2（2．446Mev）最近的一条能级是2．573MeV（K^π=14^＋）。因此，详细计算^178Hf核2．44-2．6MeV范围内高自旋、高激发核能级结构，对寻找低能诱导^178Hf^m辐射衰变中间激发态，分析低能诱发辐射实验可行性非常必要。     

GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算

利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。     

TEM01模式激光对两能级原子的作用力研究

推导了两能级原子在稳态和小速度一阶微扰近似下的受力矢量方程，并分析表明ＴＥＭ０１模光场以原子的作用力中存在旋涡力，对在大正失谐δ〉〉Ω０〉〉Г和ｚ〈〈ｚ０＝ｋｗ＾２／λ条件下的ＴＥＭ０１模行波和驻波场中原子的受力进行了分析，对行波场，自发辐射对原子运动的影响很大，但在ｒ〈〈λ区域内原子受到横向囚禁力；对驻波场，自发辐射的影响可以忽略，考虑在ｚ方向波长范围内原子的平均受力得到的结论为：在横向，除了有     

单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质．计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质．同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0．2eV处产生局域的电子态．     

激光金等离子体中Au~(49+)能级寿命的相对论多组态计算

根据扩展的相对论多组态Dirac Fock理论,采用"多功能相对论原子结构程序",计算了类锌Au49+的能级寿命、能级宽度和光谱跃迁波长。计算所得的波长值与实验结果符合较好;能级寿命与能级宽度的大小关系符合海森堡的能量与时间测不准原理。     

准周期链状聚合物电子谱及特征

研究了链状聚合物的长短键结构呈准周期排列的电子谱。利用紧束缚近似和转移矩阵方法通过理论证明和计算表明：这种准周期排列聚合物的电子谱,当长短键长度相差很小时,具有类似于金属晶体的能带结构;相差很大时,具有无序系统一维能级结构;而对于一般情形,其电子谱与上两者均异,形成所谓的类Cantor集。这3类不同的谱结构反映在链状聚合物的宏观物理性质上也将有所不同,它无疑会影响聚合物的稳定性及相关(超)导电性能,深入研究这方面问题将有助于对有机超导的认识。