引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子跃迁

 鉴于“方形”势阱过于简单和理想，引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为。在量子力学框架内，把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程, 并以Ga^1-xAl^xAs-GaAs- Ga^1-xAl^xAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁和带间跃迁。结果表明，能级数目和跃迁能量与阱深、阱宽等系统参数有关，只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制。     

类镍等电子系列离子M1,M2,E2禁戒跃迁特性的理论研究

利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99,计算了类镍等电子系列离子(Z=45-95)的基组态3s23p63d10 1S0以及低激发组态3s23p63d94l,3s23p53d104l和3s3p63d104 l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用,解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象,探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律.     

非简并四波混频体系中双模光场的纠缠特性

利用非简并四波混频体系制备出稳定的连续变量的纠缠态，研究了纠缠随时间的演化情况.同时，得到双模光场的特征函数.经分析可知，在强抽运光的作用下此体系相当于一个光学参量放大器；在满足一定的条件下，能够制备出稳定的连续变量的量子纠缠态，并且纠缠的程度与双光子抽运光强度、合作参量及失谐频率有关. 关键词： 连续变量 三能级 高斯态 参量放大器     

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利用SHML模型计算了密度为ρ=1g·cm-3、温度为150eV、200eV、250eV、300eV、400eV的Sn等离子体的随光子能量变化的辐射不透明度及Rosseland平均不透明度.分析了不透明度随光子能量变化曲线的吸收峰值(不透明度峰值)与能级跃迁的对应关系.还将Sn的Rosseland平均不透明度与DCA/UTA及STA模型计算结果作了比较,吻合较好.     

7Li2分子23Πu激发态的解析势能函数、振动能级及其转动惯量

使用Gaussian03程序包中的“对称性匹配簇-组态相互作用”方法、在0.13—2.0nm的核间距范围内利用6-311 G(d,p)基组对7Li2(23Πu)分子的势能曲线进行了计算,同时使用最小二乘法将计算结果拟合成了解析势能函数.利用拟合出的解析势能函数并结合Rydberg-Klein-Rees方法,计算了该态的谐振频率,进而计算了该态的其他光谱常数,分别为Te=3.6701eV,De=1.0764eV,Re=0.3000nm,ωe=285.69cm-1,ωeχe=1.8351cm-1,αe=0.00942cm-1和Be=0.5340cm-1,其中光谱常数Te,De,Re和ωe的值与文献值相符很好.以得到的解析势能函数为基础,通过求解双原子分子核运动的径向Schr dinger方程,发现J=0时7Li2(23Πu)分子存在67个振动态,求出了相应于每一振动态的振动能级、振动经典转折点及转动惯量.     

稀有类铥铋离子辐射光谱的相对论识别

用全相对论多组态自洽场方法,计算了高离化类铥铋原子BiXV的1s、2s、2p-、2p、3s、3p-、3p、3d-、3d、4s、4p-、4p、4d-、4d、4f-、4f、5s、5p-、5p、5d-、5d、5f-、5f、5g-、5g、6s、6p-、6p、6d-、6d、6f-、6f、6g-、6g、7s、7p-、7p、7d-、7d、7f-、7f、7g-、7g、8s、8p-、8p、8d-、8d轨道的2249个精细结构能级和辐射寿命以及其他各种跃迁参数.能级和波长的计算值和实验值符合得好.另外还发现了一些辐射寿命较长的亚稳态能级.     

在WBEPM理论下EuⅠ原子里德堡能级计算(英文)

依据最弱受约束电子势模型理论,计算了铕原子4f76snd6D9/2(n≥13)、4f76snd8D9/2(n≥17)、4f76snd8D5/2(n≥15)和4f76snd8D3/2(n≥21)里德堡系列能级.计算结果与实验值的最大相对误差为4×10-5,最大绝对误差是1.91cm-1,达到了较高精度,这表明文中的外推数据是可信的.     

单一杂质半导体费米能级的普适公式

利用电中性条件，导出了掺单一杂质半导体费米能级的谱适公式，在具体应用时可作相应简化。     

《稀土离子的光谱学》

该书详尽地阐述了稀土离子的光谱性质及相关的理论和计算方法，是一本系统论述稀土离子光谱学的专著。全书共分十二章，从自由稀土离子的光谱项、能级理论和计算方法入手，论述了晶体环境对光谱行为和能级的影响和该影响的规律性。     

InP中和C带有关深能级的近红外光致发光

本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。