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51.
Engineering Double-Walled Carbon Nanotubes by Ar Plasma   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Double-walled carbon nanotubes (DWCNTs) have been found to be promising nano-materials for nano-mechanical and nano-electrical devices due to their double-walled structures. Modifying DWCNTs would be one of the key technologies for device construction. We demonstrate engineering the geometry of DWCNTs by etching with Ar plasma. The characterization by atomic force rnicroscopy indicates that single atomic carbon layers could be removed from DWCNTs by Ar plasma. The etching effect is further investigated by electrical measurements on DWCNT field-effect transistors, which allow us to study the interwall screen effect as well.  相似文献   
52.
厚二氧化硅光波导薄膜制备及其特性分析   总被引:9,自引:1,他引:9  
以硅烷和氧化二氮作为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,不使用掺杂,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。研究了薄膜折射率和淀积速率与工艺参量之间的关系,通过棱镜耦合仪、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜等测试手段,分析了薄膜的结构和光学特性。结果表明,实验能快速生长厚二氧化硅薄膜,薄膜表面平整,颗粒度均匀,同时薄膜具有折射率精确可控和红外透射性能好的特点,非常适合制作光波导器件。  相似文献   
53.
文章描述了荧光级氧化钇中痕量稀土铈的测定方法,在溴酸钾存在下,5摩尔/升HNO_3介质中,以P507萃取微量铈,然后有机相用硝酸、过氧化氢反萃取、再将水相浓缩定容,然后以电感耦合等离子体原子发射光谱法分析。同时用铈的离子选择电极以二次标准加入法作第二种手段分析。样品溶液以乙醇预去溶方式引入等离子体,测定下限为2微克/克,方法简单、快速、准确。离子选择电极法测定铈离子下限1×10~(-5)摩尔/升,回收率为94-101%,方法简单,结果满意、价格便宜。  相似文献   
54.
x射线近贴显微技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
赵卫  张小秋 《光子学报》1993,22(1):35-39
x射线近贴显微技术不但可使活的生物样品成象,分辨率高于光学显微镜,而且人为的样品准备程序在该技术中都可避免。本文描述了用高功率激光打靶产生的等离子体作为软x射线源而进行的近贴显微研究,并得到了分辨率好于1μm的结果。  相似文献   
55.
本文用“剖面不变性”确定等效电子热导系数,研究了TCA装置上阿尔芬波加热的能量平衡,结果与实验符合很好。证明本文所用的方法对不同装置、不同加热方式都适用。  相似文献   
56.
从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。  相似文献   
57.
本文从速率方程出发,讨论了类锂铝复合等离子体的激发态结构,衰减常数,反转率和小信号增益等表征介质增益特性的物理量以及它们随电子温度,电子密度和光子逃逸几率的变化。找到了进行类锂铝离子通过复合机制产生X光激光设计应创造的等离子体状态目标区域。还讨论了这些物理量随原子序数变化的定标律。  相似文献   
58.
59.
60.
射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性   总被引:1,自引:10,他引:1  
采用射频等离子方法,对Ga As(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360℃温度条件下的快速热退火,光致发光(PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30 d,其PL强度未出现明显变化,说明Ga As的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。  相似文献   
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