一维应变压缩下TC4钛合金绝热剪切研究

 利用内径为57 mm的压缩气炮，在撞击速度为0.2~1.2 km/s（相应的靶中压力为3~15 GPa）范围内进行对称碰撞实验，以研究TC4（Ti-Al6-V4）钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品，在扫描电镜（SEM）下进行细观金相分析。结果指出，一维应变冲击压缩条件下，TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s（相当于样品中的压力为5.87 GPa）；主剪切带与冲击方向约为45°角，带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大，这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大，产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出，剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变，是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。     

负离子全金属团簇Ga4^2-的芳香性的从头算理论研究

运用密度泛函理论的三种方法(B3LYP、B3PW91、PW91PW91)与Mφller-plesset二级微扰方法(MP2)和极化分裂阶基基组6-311 G(3df)，对二阶负离子全金属团簇Ga4^2-与多种一阶负离子团簇MGa4^-(M=Li、Na、Cu)稳定构型与振动频率作了计算，其中二阶负离子全金属团簇Ga4^2-最稳定的构型是正方形结构(D4h)。接着，从团簇结构、非局域π电子数目、分子轨道图形和Ga4^2-同MGa4^-在结构与谐振频率、谐振模式的对比等多方面论述了Ga4^2-正方形结构(D4h)的芳香性特征。     

CuZnAlZr催化剂上甲醇氧化水蒸气重整制氢I．催化剂组成的优化

采用共沉淀法制备了不同配比的CuZnAlZr复合氧化物催化剂，并通过XRD和TPR等表征技术及活性评价，考察了催化剂各组分配比对活性的影响，从而对各组分配比进行了优化．结果表明，组成为(Cu7Zn3)7(Al6Zr4)3的催化剂具有最高的催化活性，反应温度为200℃时，甲醇转化率可高达91％，而重整气体中CO的体积分数仅为0．12％．具有较高分散性及高还原性能的表相Cu组分的增加有利于提高催化剂的活性，Zn可以起到隔离和分散Cu的作用，而Al和Zr的存在可以稳定表相Cu^2 的存在形式．     

HCHO-(DL-苹果酸)-BrO-3-Mn2+-H2SO4体系化学振荡反应动力学研究

研究了HCHO参与下的(DL-苹果酸)-BrO-3-Mn2+-H2SO4化学振荡反应体系的非线性动力学行为,考察了该体系中各反应物的初始浓度范围及主要影响因素. 结果表明,在5.0×10-5～1.0×10-2 mol·L-1范围内, HCHO对振荡反应的诱导期和周期有较大影响,且HCHO浓度的对数lnc(HCHO)与诱导期倒数的对数ln(1/tin)及周期倒数的对数ln(1/tp)均存在线性关系. 诱导期和周期的表观活化参数分别为70.87,55.71 kJ·mol-1. 另外还对HCHO参与下的可能振荡反应机理进行了探讨.     

纳米技术新秀:单原子晶体管

 美国康奈尔大学的一个科学家小组研制成由一个钴原子构成的晶体管,钴原子包裹有一层复杂有机化合物,直径仅为10纳米的黄金导线被放置在硅片上,并用这种有机化合物覆盖住。然后在导线上钻一个直径约为1纳米的小孔,制成电源电极和电流电极,再将带有钴原子的有机化合物放置在小孔上,用二氧化硅作绝缘体。哈佛大学另一组科学家也用类似方法研制成单原子晶体管,他们是在黄金电极上放置钒分子,而用氧化铝作绝缘体。单原子或单分子晶体管研究表明,只有在加上一定电压时电流才会通过这类晶体管。此外,将它们放置在磁场中时,通过电流中的电子数量会增加。     

Ca(NO3)2•4H2O-catalysed Biginelli Reaction: One-pot Synthesis of 1,2,3,4-Tetrahydropyrimidin-2-ones/pyrimidine-2-thiones under Solvent-free Conditions

The synthesis of 1,2,3,4-dihydropyrimidinone/thione derivatives was achieved in good to excellent yields using calcium(II) nitrate as catalyst to promote the Biginelli three-component condensation reaction from a diversity of aromatic aldehydes, β-keto compounds and urea or thiourea. The reaction was carried out under solvent-free conditions.     

大米中硒的FI-HG-AAS测定方法研究

研究了原子化器温度、载气流速、KBH4 浓度等条件对流动注射 氢化物发生 原子吸收光谱法 (FI-HG -AAS)测定硒时的影响。建立了FI-HG -AAS测定大米中硒的分析方法。在优化的工作条件下 ,测定硒的最低检测浓度为 0 3 3 μg·L- 1,线性范围为 0～ 5 0 μg·L- 1,相对标准偏差小于 4% ,加标回收率为 94%～ 1 0 2 %。本法克服了传统的间断氢化物发生 原子吸收光谱法分析速度慢、样品耗量大、操作繁琐且因手工进样在进样速度和进样体积上容易带来误差等缺点。方法操作简便、快速 ,灵敏度及自动化程度高 ,已广泛应用于大米及富硒大米中微量硒的测定     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.