基于可靠性的相位去包裹算法

提出了一种新的基于可靠性的相位去包裹算法。采用了队列算法及去包裹可靠性的判别标准。与传统方法相比,能够自动避开噪声区域,解决了相位去包裹中的阴影遮挡以及空洞等问题,克服了传统去包裹方法中的误差传播效应,能准确快速地对全场进行相位去包裹。设计了一套基于此算法的三维形面测量系统。     

常曲率空间中单形的中面公式及其应用

本文给出了n维常曲率空间中单形的中面面积公式，利用它我们还得到了一类几何不等式．     

双晶单色器弧矢聚焦晶体面形有限元分析

简要介绍了弧矢聚焦双晶单色器的基本原理、聚焦晶体的压弯以及鞍形形变的抑制,提出了柔性铰链弧矢聚焦晶体压弯机构,对弧矢聚焦晶体衍射面的子午形变和弧矢弯曲面形进行了有限元分析;用光学追踪程序SHADOW得出了弧矢聚焦晶体衍射面面形对单色器的光通量和分辨率的影响。     

共形不变标量场在Reissner-Nordsttr?m时空的Boulware 态中的重整化能动张量

利用Page-Zannias方法并借助微机和REDUCE语言计算了共形不变标量场在Reissner-Nordsttr?m(R-N)时空中Boulware态的重整化能动张量。 关键词：     

一个新的杆状病毒凋亡抑制基因的克隆及鉴定

缺失功能性ｐ３５基因的苜蓿尺蠖核形多角体病毒（ＡｃＮＰＶ）突变体（ｖΔＰ３５Ｋ／ｐｏｌ＋）感染草地夜蛾细胞（Ｓｆ９和Ｓｆ２１）［１］及海灰翅夜蛾细胞（ＳＬ２）［２］时，引起细胞凋亡，从而使病毒的感染流产．我们发现海灰翅夜蛾核形多角体病毒（ＳｌＮＰＶ）...     

关于正形置换多项式的注记

n为正整数，m为大于1的正整数，本文证明了当n≡0，1（mod m）时，F2^n上不存在2^m-1次正形置换多项式，并给出了该结果的几个推论：F2^n上不存在次数为3的正形置换多项式；n〉2时，F2^n上的4次正形置换多项式都是仿射多项式．     

二阶Melnikov函数及其应用

在Ｍｅｌｎｉｋｏｖ函数的种种应用中，目前常见到的仅是一阶形式。本文具体推导了二阶Ｍｅｌｎｉｋｏｖ函数的分析表达，提出了临界情况下考察双曲鞍点的稳定流形与不稳定流形相对位置的二阶判据，并成功地用于环面ｖａｎｄｅｒＰｏｌ方程的研究中。     

氮化硼固相转变的船形模型

 船形转变模型是有rBN结构向wBN结构的固相转变模型。在静高压下，相比于以椅形方式，rBN更容易以船形方式转变。     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.