SiCw/6061 Al复合材料中界面相的研究

利用电子显微镜分析研究了ＳｉＣ２／６０６１Ａｌ复合材料的界面相。电子衍射分析表明，ＳｉＣｗ／６０６１Ａｌ面相 体心立方结构，点阵常数为１．２８ｎｍ用Ｘ－射线能谱仪测定了界面相的化学成分。     

ZrO2—SiC复合材料的制备及导电特性的研究

ＺｒＯ２－ＳｉＣ复合材料的制备及导电特性的研究许小红任引哲（山西师范大学化学系临汾０４１００４）宋波毛裕文（北京科技大学物化系北京１０００８３）关键词氧化锆碳化硅复合材料热压烧结电阻率中图分类号Ｏ６１４．４１２近十几年来，电热体材料的研制开发和利用已...     

液相烧结碳化硅晶界内氮化反应的研究

碳化硅 ( Si C)由于其高度的共价键结合特性而具有高硬度、耐磨性和高化学稳定性等优异性能而成为热机、高温环境和化学化工等领域的研究应用对象 .碳化硅材料的无压烧结最早是由 Prochazka[1] 实现的 .2 0世纪 80年代初期 ,Omori[2 ] 通过采用氧化物 ( Al2 O3,Y2 O3和稀土氧化物等 )添加剂的手段大大降低了无压烧结的温度 .这些氧化物具有较低的共熔点 ,在高温下易形成液相 ,从而促进了碳化硅的晶粒重排和晶体生长 .2 0世纪 90年代以来 ,氮化物和氧化物的混合添加剂 (如 Al N- Y2 O3) [3]被广泛应用于碳化硅的液相烧结 .这是因为氮在…     

Surface plasmon enhanced photoluminescence in amorphous silicon carbide films by adjusting Ag island film sizes

Ag island films with different sizes are deposited on hydrogenated amorphous silicon carbide (α-SiC:H) films, and the influences of Ag island films on the optical properties of the α-SiC:H films are investigated. Atomic force microscope images show that Ag nanoislands are formed after Ag coating, and the size of the Ag islands increases with increasing Ag deposition time. The extinction spectra indicate that two resonance absorption peaks which correspond to out-of-plane and in-plane surface plasmon modes of the Ag island films are obtained, and the resonance peak shifts toward longer wavelength with increasing Ag island size. The photoluminescence (PL) enhancement or quenching depends on the size of Ag islands, and PL enhancement by 1.6 times on the main PL band is obtained when the sputtering time is 10 min. Analyses show that the influence of surface plasmons on the PL of α-SiC:H is determined by the competition between the scattering and absorption of Ag islands, and PL enhancement is obtained when scattering is the main interaction between the Ag islands and incident light.     

化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。     

半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。     

SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究

化学机械抛光(CMP)已被认为是目前实现SiC晶片全局平坦化和超光滑无损伤纳米级表面的最有效加工方法之一,然而SiC晶片的化学氧化反应受其表面极性的强烈影响,从而导致其不同晶面表面原子在CMP过程中的可氧化性以及氧化产物去除的难易程度存在差异.采用K2 S2 O8作为氧化剂、Al2 O3纳米颗粒作为磨粒,对比研究了6H-SiC晶片Si面和C面的CMP抛光效果,并分析不同晶面对其CMP抛光效果的影响机理.结果表明,6H-SiC晶片Si面和C面的CMP抛光效果存在显著差异.6H-SiC晶片Si面的材料去除率在pH=6时达到最大值349 nm/h;相比之下,C面的材料去除率在pH=2时达到最大值1184 nm/h,抛光后的Si面和C面均比较光滑.氧化剂进攻C面上C原子的位阻明显小于其进攻Si面上的C原子的位阻,从而导致C面比Si面具有更高的反应活性和氧化速度.此外,C面上的氧化物比Si面上的氧化物更容易被去除,因此C面比Si面易于获得更高的材料去除率.     

碳化硅增强环氧树脂复合材料的制备及性能研究

为了提高环氧树脂的摩擦磨损性能,利用碳化硅颗粒填充改性制备了碳化硅/环氧树脂复合材料,探讨了碳化硅含量对于复合材料摩擦磨损性能的影响及磨损表面的磨损机理,分析复合材料的弯曲性能和动态力学性能,揭示了碳化硅的增强机理.结果表明高含量的微米碳化硅能够明显降低环氧树脂的摩擦系数,提高其耐磨性能:与纯环氧树脂相比,添加60wt;碳化硅的复合材料摩擦系数降低了21.44;,而添加40wt;碳化硅的复合材料,体积磨损率降低了83.49;.同时高碳化硅含量下复合材料的弯曲性能和动态力学性能有所增加.     

纳米SiC基光催化剂研究进展

工业化无疑促进了经济的发展,提高了生活水平,但也导致了一些问题,包括能源危机、环境污染、全球变暖等, 其中这些所产生问题主要是由燃烧煤炭、石油和天然气等化石燃料引起的。光催化技术具有利用太阳能将二氧化碳转化为碳氢化合物燃料、从水中制氢、降解污染物等优点,从而在解决能源危机的同时避免环境污染,因此被认为是解决这些问题的最有潜力的技术之一。在各种光催化剂中,碳化硅(SiC)由于其优良的电学性能和光电化学性质,在光催化、光电催化、电催化等领域具有广阔的应用前景。本文首先系统地阐述了各种SiC的合成方法,具体包括模板生长法、溶胶凝胶法、有机前驱物热解法、溶剂热合成法、电弧放电法,碳热还原法和静电纺丝等方法。然后详细地总结了提升SiC光催化活性的各种改性策略,如元素掺杂、构建Z型(S型)体系、负载助催化剂、可见光敏化、构建半导体异质结、负载炭材料、构建纳米结构等。最后重点论述了半导体的光催化机理以及SiC复合物在光催化产氢、污染物降解和CO₂还原等领域的应用研究进展,并提出了前景展望。