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101.
小球与均质自由杆的碰撞   总被引:2,自引:2,他引:0  
任才贵 《大学物理》2006,25(5):16-17,25
讨论了小球与自由杆碰撞过程中所遵从的物理规律,明确了完全非弹性碰撞过程的能量特征,指出完全非弹性碰撞后两物体不一定粘在一起共同运动的事实.  相似文献   
102.
带强迫项变系数组合KdV方程的显式精确解   总被引:17,自引:0,他引:17       下载免费PDF全文
卢殿臣  洪宝剑  田立新 《物理学报》2006,55(11):5617-5622
通过构造两个新的Riccati方程组,推广了Riccati方法,使其具有简洁的形式,丰富和发展了已有的结果,借助Mathematica软件,求出了带强迫项变系数组合KdV方程的一些精确解,包括各种类孤波解、类周期解和变速孤波解. 关键词: Riccati方程组 变系数组合KdV方程 强迫项 类孤波解  相似文献   
103.
基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估,发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的,但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较,此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。  相似文献   
104.
过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明:过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.  相似文献   
105.
基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氦、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估.发现对基态类氢、类氦和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的.但对于激发态的碰撞电离过程,还有待于可靠的数据比较.此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律.  相似文献   
106.
不良导体导热系数测定实验中仪表风扇对实验结果的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据对物体冷却规律的分析,并从实验结果比较,指出稳态法测不良导体导热系数实验中,设置散热盘的冷却过程应与其在稳态过程时的强迫对流散热方式保持一致.  相似文献   
107.
研究了Rb(5PJ)+Rb(5PJ)→Rb(nlJ')+Rb(5S)碰撞能量合并过程,利用单模半导体激光器分别共振激发Rb原子的5P1/2或5P3/2态,利用另一与泵浦激光束反向平行的单模激光束作为吸收线探测激发态原子密度及其空间分布,吸收线分别调至5P1/2→5D3/2和5P3/2→7S1/2跃迁.由激发态原子密度和谱线荧光比得到碰撞能量合并过程的截面,对5P3/2激发,碰撞转移得到5D5/2,5D3/2和7S1/2的截面分别是(1.32士0.59)×10-14,(1.18士0.53)×10-14和(3.21士1.44)×10-15cm2;对5P1/2激发,碰撞转移到5D5/2和5D3/2的截面分别是(6.57士2.96)×10-15和(5.90士2.66)×10-15cm2.与其他的实验结果进行了比较.  相似文献   
108.
在考虑自由体积和局部临界扩散势能的基础上,提出一种新的计算自扩散系数模型,并给出新模型中各个因子物理含义.同时还提出一种计算局部临界扩散势能的新方法,并应用于新模型.另外将衍生van der Waals状态方程应用于求解自由体积,式中所需径向分布函数由Morsali-Goharshadi方程得到.在相同条件下,新模型比原自由体积模型更准确.  相似文献   
109.
牛顿碰撞球的解释与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对牛顿碰撞球的常规碰撞形式和混合联珠单球碰撞形式做了理论分析和解释.在常规碰撞时,将悬线(钓鱼线)先悬挂小球一段时间后组装仪器,可克服悬线的拉力.在混合联珠单球碰撞时,根据理论分析,选取大球和小球的质量比为27∶8时,演示效果较好.  相似文献   
110.
多层光子晶体滤波器研究   总被引:34,自引:6,他引:28  
从双层结构出发研究了一种由多块不同的单周期光子晶体组合而成的多层结构的滤波器,论述了这种滤波器的工作原理,研究表明这种结构适于制作带通、窄带通过、带阻、宽带带阻、高通以及其它各种性能的滤波器。实验和理论研究的结果相一致。  相似文献   
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