倍半硅氧烷改性环氧树脂的研究进展

倍半硅氧烷是近年发展起来的一种分子水平的有机无机杂化材料。文章介绍了倍半硅氧烷的结构、合成以及笼型倍半硅氧烷（POSS）基高分子复合材料的结构及合成方法。倍半硅氧烷改性聚合物可以提高聚合物的热性能、阻燃性能和物理机械性能等。文章综述了倍半硅氧烷改性环氧树脂的研究进展。     

含氢低聚硅氧烷合成工艺及表征

以苯基三甲氧基硅烷和四甲基二氢二硅氧烷为合成原料,合成了高产率、高纯度的含多个活性氢基低聚硅氧烷MH3 Tph,采用粘度、折射率、透光率、及核磁共振氢谱、硅谱对其进行了表征.考察了物料投料摩尔比和滴加蒸馏水耗时在合成工艺中的影响,结果表明合成最佳方案为:以1:2.0的比例投料,在低温15℃环境下,滴加酸催化剂0.05 ...     

六甲基环三硅氧烷（D3）阴离子开环聚合机理与动力学研究

本文从聚合机理和反应动力学两方面综述了近年来六甲基环三硅氧烷（D3）的阴离子开环聚合研究进展。Frye等人提出在非极性的碳氢溶剂中会形成引发剂的的三种加成物质,在不加入促进剂的情况下不会进行D3的开环聚合,这一开环聚合机理成为随后D3阴离子开环聚合机理研究的基础,研究者采用MALDI-TOF研究聚合机理得到的结论证实了这一机理的正确性,促进剂、溶剂、引发剂的类型和聚合步骤会改变活性链末端的缔合和解缔合的平衡能力,对D3开环过程中的反咬和再分布副反应有显著影响。D3开环聚合增长速率对单体浓度为一级,不同的促进剂和引发剂会显著改变活性链末端的缔合能力,从而显著影响聚合动力学。     

用于KDP晶体的桥式聚倍半硅氧烷防潮膜

 以间苯亚甲基二异氰酸酯与氨丙基三乙氧基硅烷反应制备了具有长桥链结构的聚倍半硅氧烷前驱体,利用制备的前驱体在碱性条件下水解缩聚制备了桥式聚倍半硅氧烷溶胶,并采用提拉浸涂法对磷酸二氢钾（KDP）晶体镀膜。通过1H NMR 对前驱体进行结构定性,利用²⁹Si MAS NMR和N₂吸附-脱附表征对凝胶结构进行了分析,用AFM对薄膜的表面形貌进行了研究,通过湿度为60%时KDP晶体光学性质的变化考察了薄膜的防潮性能。利用三倍频和基频激光测试了薄膜的抗激光损伤性能。结果表明:这种桥式聚倍半硅氧烷薄膜对KDP晶体具有很好的防潮保护作用,并显示了较好的抗激光损伤性能。     

Mass Spectrometry Investigation on Decamethylcyclopentasiloxane Electron Cyclotron Resonance Plasma for SiCOH Film Deposition

We investigate the fragmentation behaviour of decamethylcyclopentasiloxane （DMCPS） plasma using a quadrupole mass spectrometry, which is used as the precursor to deposit SiCOH film in an electron cyclotron resonance （ECR） plasma system. The structure of DMCPS molecules comprises a fivefold Si-O ring and ten -CH3 groups bonded at five Si atoms. In ECR discharge plasma, the main fragmentation behaviour of DMCPS includes two stages. One is the breaking of fivefold Si-O rings and then the formation of threefold Si-O rings and Si-O chain species. The other is the decomposing of hydrocarbon groups from Si atoms and then the crosslink of hydrocarbon species. Combined with the bonding configuration of SiCOH films, the relation between species in ECR plasma and films structures is analysed.     

用于NSH紫外滤光片的长桥式聚倍半硅氧烷防潮膜

以双环己基甲烷4,4’-二异氰酸酯与3-氨丙基三乙氧基硅烷反应制备了具有长桥链结构的聚倍半硅氧烷前驱体. 利用制备的前驱体在碱性条件下水解缩聚制备了桥式聚倍半硅氧烷溶胶, 并对硫酸镍(NSH)紫外滤光片镀膜. 通过FT-IR, 29Si MAS NMR和N2吸附-脱附表征对凝胶结构进行了分析, 用SEM和AFM对薄膜的表面形貌进行了研究, 通过一定湿度(70%)下NSH滤光片光学性质的变化观察了薄膜的防潮性能. 结果表明, 这种桥式聚倍半硅氧烷薄膜是致密无孔的, 能够对NSH滤光片起到很好的防潮保护.     

α,ω-双(4-(4′-甲基)-偶氮苯基)苯氧甲基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的合成和结构

合成了（ＣＨ３（Ｃ６Ｈ４）Ｎ２（Ｃ６Ｈ４）ＯＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２２Ｏ,对其晶体结构及分子偶极矩进行了研究．结果表明,晶体属单斜晶系,Ｉ２Ａ空间群,晶胞参数如下：ａ＝２．１７８３４ｎｍ,ｂ＝０．８０３２５ｎｍ,ｃ＝２．０８８９５ｎｍ,β＝１１９．１９１°,Ｖ＝３１８２６ｎｍ３,Ｚ＝４,Ｄｃ＝１．２１６ｋｇ／ｍ３．分子偶极矩μ＝８．９３２×１０－３０Ｃ·ｍ．通过对分子结构和矩值的分析,说明了由刚性基团和柔性基团组成的端介晶基四甲基二硅氧烷的性能与结构之间的关系．     

智能电子产品典型材料中7种二甲基环硅氧烷含量的测定

智能电子产品中残留的二甲基环硅氧烷(DMCs)可能随设备报废而进入环境。该研究针对智能电子产品材料基质复杂且溶解性和分散性差的特点,选取硅橡胶、胶黏剂和塑料3种典型材料为代表,采用丙酮对颗粒度为0.5 cm×0.5 cm的样品进行超声萃取,选择SH-Rxi-5Sil MS毛细管柱(30 m×0.25 mm×0.25μm)进行气相色谱-质谱(GC-MS)分离,通过特征碎片离子实现了7种DMCs(D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9)的定性定量分析。7种DMCs在0.1～10.0 mg/L质量浓度范围内呈良好的线性关系(r²≥0.999 3),方法定量下限为0.5μg/g;7种DMCs在智能电子产品3种典型材料中的平均加标回收率为83.8%～105%,相对标准偏差(RSD,n=6)为1.5%～4.6%。将该方法用于7种不同智能电子产品材料中DMCs的分布分析,结果在6个样品中检出DMCs,总含量为30.0～1.6×10³μg/g。