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41.
We propose a scheme for light amplification in an asymmetric double quantum well, where two excited states are coupled by resonant tunnelling through a thin barrier in a three-level system of electronic subbands. By applying a single driving laser, the steady state gain can be obtained. The calculated gain spectrum for an asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum well structure was presented. 相似文献
42.
讨论量子输运理论以及反常手征凝聚 (DCC)的产生和演化 .建立了手征Nambu Jona Lasinio模型的量子输运方程和约束方程 .发现非平衡的夸克自旋分布是产生DCC的主要物理起因 ,而量子离壳效应可能导致长寿命的DCC . 相似文献
43.
量子信息讲座 第三讲 量子编码 总被引:3,自引:0,他引:3
量子编码使信息论领域发生革命性进展,它是量子信息论的主要内容之一。文章介绍了量子编码的基本概念和发展背景,评述一些现有的量子编码方案,包括纠随机错和防合作错的量子码,并追踪量子编码定理的研究进展。 相似文献
44.
本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。 相似文献
45.
Paul阱内的压缩效应与量子跃迁 总被引:1,自引:1,他引:0
处理一个一维Paul阱系统中的压缩现象与量子跃迁现象,对于阱内的最强压缩态和共振跃迁(一种极不稳定状态)之间的关系作了阐述,并对利用压缩性质在阱内进行精密测量的可能性作了讨论 相似文献
46.
47.
纳米硅量子线的发现与研究 总被引:5,自引:0,他引:5
一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域.文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线(SiNWs)的方法,介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果.纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景. 相似文献
48.
49.
TONGZhao-Yang KUANGLe-Man 《理论物理通讯》2002,37(5):541-546
We study the degree to which quantum entanglement survives when a three-qubit entangled state is copied by using local and non-local processes,respectively,and investigate iterating quantum copying for the three-qubit system.There may exist inter-three-qubit entanglement and inter-two-qubit entanglement for the three-qubit system.We show that both local and non-local copying processes degrade quantum entanglement in the three-particle system due to a residual correlation between the copied output and the copying machine.we also show that the inter-two-qubit entanglement is preserved better than the inter-three-qubit entanglement in the local cloning process.We find that non-local cloning is much more efficient than the local copying for broadcasting entanglement,and output state via non-local cloning exhiits the fidelity better than local cloning. 相似文献
50.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献