层次分析法在地区科技进步水平评价中的应用

本文利用层次分析法对科技进步评价指标体系中的指标进行赋权,利用线性加权方法对我国各省、直辖市的科技进步水平进行了评价和分析.     

YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散

基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较. 关键词：     

薄壁绕丝筒体应力与变形的近似计算

将等张力缠绕筒体钢丝层中沿厚度方向近似呈阶梯状分布的预应力简化为均匀分布,其大小由钢丝层预应力降低系数η确定(η随钢丝层厚度的增大而减小),由此可获得薄壁绕丝筒体应力与变形的近似计算式.     

三能级原子与辐射场随时间演化的耦合系统的特性

研究了级联型三能级原子与单模辐射场相互作用时基耦合随时间变化的ＪＣ模型。动用密度算符方法，讨论了该模型能级算符光子数分布，平均光子娄等性质，比较了该模型与标准ＪＣ模型结果的区别。     

Some Properties of an Operator on L^∞（△） and Its Applications

In this paper, we introduce an operator Hμ（z） on L^∞（△） and obtain some of its properties. Some applications of this operator to the extremal problem of quasiconformal mappings are given. In particular, a sufficient condition for a point r in the universal Teichmfiller space T（△） to be a Strebel point is obtained.     

WO3掺杂的La2/3Sr1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过溶胶-凝胶法制备了La2／3Sr1／3MnO3＋xWO3（x=0～25％）系列多晶陶瓷样品．结果表明。随着WO3掺杂量的增加，样品的电阻率增大，金属-绝缘体相变温度（Tp）值下降．在1．4T磁场下，当0≤x≤12．5％时，样品的室温磁电阻值从5％增大到15％，提高了200％．当12．5％〈x≤25％时，室温磁电阻值从15％降低到0．这对磁电阻材料在室温下的应用提供实验依据．     

粘滞液体中落球运动的实验研究

一、引言对于粘滞液体中小球的自由下落运动,一般理论分析认为,小球进入液体之后最初一段做加速运动,经过一段路程l_0后呈现匀速运动。该匀速运动的速度(即收尾速度)v_0可由下式表述 v_0=2/9 (ρ-ρ′)/η gr~2 式中ρ——球体密度;ρ′——粘滞液体密度;r——小球半径;g——重力加速度;η——粘滞液体的粘滞系数。其中从液面至小球开始做匀速运动这段距离l_0是人们极为关注的。然而,粘滞液体中落球运动的整体规律,从液面至进入匀速段的距离l_0的确定,底     

成对组合弯头ζ值的试验研究

本文试验研究了成对组合弯头组合后局部阻力系数ζ值的变化规律,并结合生产提出了建议.     

落球法测液体粘度实验公式中两补正系数的实验求法

当半径为r0的光滑小圆球,以速度v在均匀的无限宽广的液体中运动时,若速度不大,球也很小,在液体中不产生涡流的情况下,根据斯托克斯公式,球在液体中所受到的阻力F为F=6πηvr (1)式中η为液体的粘度.     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.