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企业在面临多个技术创新投资项目或备选方案的决策困境时,科学合理的效率评价对技术创新投资决策至关重要.企业技术创新由于受众多不确定因素的影响,决策信息往往呈现出区间状态,因此,基于区间SE-DEA模型测度技术创新投资方案的区间效率值,并通过构建区间效率的位置系数与不确定系数的满意度函数,建立基于技术创新效率的投资决策准则.最后通过实例分析,说明了效率评价准则的科学性与合理性. 相似文献
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为探究不同铟(In)组分InxGa1-xN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响,本文采用SiLENSe(simulator of light emitters based on nitride semiconductors)仿真软件对一系列具有不同In组分InxGa1-xN势垒的激光二极管进行研究,结果发现InxGa1-xN势垒中In组分最佳值为3%,此时结构的斜率效率最高,内部光学损耗最低,光学限制因子最大,性能最优。在具有In0.03Ga0.97N势垒的多量子阱结构基础上,设计了一种组分阶梯(composition step-graded, CSG)InGaN势垒多量子阱结构,提高了激光二极管的斜率效率和电光转换效率,增加了光场限制能力。仿真结果表明,当注入电流为120 mA时,具有CSG InGaN势垒的多量子阱结构,电光转换效率从17.7%提高至19.9%,斜率效率从1.09 mW/mA增加到1.14 mW... 相似文献
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随着信息技术日新月异的发展,采用计算机技术改进教学手段,提升教学效果已成必然趋势.《几何画板》作为一款简洁、直观、易学的课件制作及演示软件,是高中数学教师应该掌握并且熟练应用的.本文从《几何画板》能够使代数教学图形化、直观化,立体几何教学高效化、精准化,平面解析几何教学形象化、生动化等三方面,并结合典型实例阐释了该软件的应用价值和重要意义. 相似文献
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通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 相似文献
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