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141.
利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.
关键词:
表面传导电子发射显示
遂穿效应
面电荷密度
电场强度 相似文献
142.
碳分子线基态特性理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n=3~10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2<EHn<EHn+2,ELn-2>ELn>ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件. 相似文献
143.
利用第三代电子动量谱仪首次获得了四氢呋喃和二恶烷HOMO轨道的电子动量分布,并将实验结果与不同构象的理论计算进行了比较,四氢呋喃的C1,Cs构象和二恶烷C2h构象的理论曲线分别与各自实验结果符合较好. 相似文献
144.
阻尼落体运动的分析力学研究 总被引:1,自引:1,他引:0
应用分析力学理论和方法,研究了两种情况下的阻尼落体运动:1)阻力大小与速度成正比;2)阻力大小与速度平方成正比.对两种运动分别给出了等效的Lagrange函数和Hamilton函数,并应用第一积分法、点变换法、正则变换法和Ham-ilton-Jacobi方程法等不同的求解方法进行了求解. 相似文献
145.
半个世纪以来,对半导体技术的深入研究和广泛应用推动了电子工业和信息产业的迅速发展。目前半导体技术正向高速度、高集成化方向发展,但这也不可避免地引发了一系列问题,例如电路中能量损耗过大导致集成片发热,如何进一步将电子器件小型化等。人们由此感到半导体器件的能力已基本达到了极限,转而把目光由电子投向了光子,因为光子有着电子所不具备的优势:速度快,彼此间不存在相互作用,一旦实现用光子替代电子传递信息, 相似文献
146.
147.
常言说得好,没有规矩,不成方圆。没有基准,也就失去依据。什么是引进物理量和描述物理规律的规矩和基准呢?在力学和物理学中,惯性原理即对于惯性观测者以惯性运动和惯性系为基础的相对性原理,对于力学量和物理量的引进、力学和物理规律的描述,起着十分重要的基准作用。对于与空间、时间,其中物质和运动直接相关的力学量和物理量,以及相应的力学和物理规律而言,至少在引力相互作用可以不考虑的情形中是这样。事实上,惯性原理的这一基准作用,在牛顿力学和狭义相对论中都非常突出。早在我国汉代就有记载:“地恒动而人不知,譬如闭舟而行不觉舟之运也。” 相似文献
148.
149.
150.
在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化. 相似文献