潜热型热功能流体强化换热分析

本文建立了分析带有相变微胶囊的潜热型热功能流体的流动和换热过程数理模型,应用有限差分法和移动热源法进行联合求解。计算结果表明,相变微胶囊的加入:较好地提高了流体的换热性能。获得了相变颗粒大小和体积分数对强化换热影响等结果。计算结果对该类流体的设计和应用提供了理论依据。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

微通道板及其发展趋势

回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况．     

准一维电子通道中声电电流的理论计算

表面声波在GaAs/Al _x Ga_1-x As异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传 播时，在通道中诱导产生声电电流.采用WKB近似，计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流；并在此基础上，详细讨论了表面声波的频率和功率，以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响. 关键词： 表面声波 准一维电子通道 量子阱 声电电流     

电极电势φ对电化学反应速率的影响

讨论电极电势ψ与电化学反应速率之间的关系,并对电化学中经常遇到的概念、公式进行论述.针对ψ、η、 0、 t0、k、kt0、ψe、β等容易混淆的符号及含义,通过详尽推导,加以澄清,强调了电化学与动力学之间的联系.     

时域介电谱方法及其应用

提出了微分和二次微分时域介电谱方法。极化响应可描述为exp[-(t/τ)^α]类型若干个分得很开的峰,峰的线型决定α,它有1和1/2两个典型值.极化机构种类和峰的个数相等,峰高给出各机构对极化贡献的成份.响应时间τ由峰的位置定决,谱线的分离说明习惯设α=1而令τ有连续分布的看法缺乏根据,在石蜡中观察到温度升高时,指数增大,石蜡熔解过程中出现时域谱线分裂,从中可得到分子链运动的许多信息。     

Brauer第24问题的推广

本文对Ｂｒａｕｅｒ第２４问题［１］作了推广．利用Ｄａｄｅ关于循环块的理论得到如下结果：设Ｇ是有限群，Ｐ是Ｇ的循环Ｓｙｌｏｗｐ子群．设｜Ｐ｜＝ｐａ，ａ为正整数．令Ｐｉ为Ｐ中唯一的ｐｉ阶子群，１ｉａ．则｜Ｃｌ（Ｇ）｜＝｜Ｃｌ（ＮＧ（Ｐｉ））｜的充分必要条件为ＰｉＧ．     

用Technicolor理论研究稀有辐射衰变Bc→Dsγ

在一代Technicolor(TCI)和带有一个无质量的标量二重态(TCⅡ)模型下,计算荷电的哥尔斯通粒子对衰变B_c→D_sγ的贡献,并把它们同标准模型的计算相比较,发现哥尔斯通粒子对电磁企鹅图的贡献很大(TCI下),在TCⅡ下贡献较小;而对弱湮没图的贡献可以忽略不计,还对同位旋三重态粒子π+p的质量进行了约束. 预言将来在LHC上能对不同模型下的分支比Br(B_c→D_sγ)的差异进行研究,进而对不同的模型进行检验.     

利用相位共轭技术补偿光纤中色散效应的条件

利用相位共轭器的频率反转特性的,补偿光纤中的色散效应,在理论上和实验上得到了证明.由色散脉冲的傅里叶交换确定了光纤中二次色散效应可以被忽略的条件,得到了共轭器的反射率和带宽与非线性介质的长度L,参数|K|L之间的关系曲线,找到了影响补偿效果的主要因素.