类铍离子内壳激发态1s2p3 3P0、3D0及2s2p3 3D0 的俄歇宽度和俄歇分支率

采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类铍离子内壳激发态1s2p3 3P0、3D0和内壳双激发态2s2p3 3D0的俄歇宽度、俄歇分支率和俄歇电子能量.同时还对1s22p2 3Pe态到1s2p3 3P0、3D0态(Z=4~10)的振子强度和辐射跃迁率进行了计算,计算结果与其他理论结果以及实验数据符合得很好.     

低频液体表面波激光衍射条纹的特征

用激光衍射法实现了低频液体表面波稳定、清晰、反衬度非常高的条纹,并发现了缺级现象.理论上分析了表面波的光衍射效应,得到了衍射光场和表面波之间的解析表达式,表达式包括衍射因子和干涉因子.通过对衍射因子和干涉因子的分析,得到衍射条纹空间分布与表面波波长的关系、条纹的半角宽度与入射激光光斑覆盖表面波的个数和入射方向的关系、衍射光强度与表面波振幅的关系,并解释了条纹缺级现象.     

阵列参比电极法研究316不锈钢焊缝腐蚀行为

应用自行建立的阵列参比电极技术,原位测量316不锈钢焊接样品在12%FeCl3溶液中腐蚀电位分布.同时借助电化学极化曲线、交流阻抗技术和扫描Kelvin探针对316不锈钢焊缝腐蚀进行跟踪检测.结果表明,经焊接的316不锈钢样品在12%FeCl3溶液中,最初时刻焊缝区发生优先腐蚀,而在母材区保持钝化状态;随着浸泡时间延长...     

Bs Semileptonic Decays to Ds and D^＊8 in Bethe-Salpeter Method

Using the relativistic Bethe-Salpeter method, the electron energy spectrum and the semileptonic decay widths of B^0 → Ds^- e＋ve and B^0 → Ds^＊-e＋ve are calculated. We obtain a large branching fraction Br（Bs → Dseve） = （2.85 ± 0.35）% and Br（Bs→ D^＊s eue） = （7.09 ±0.88）%, which can be easily detected in future experiments.     

用等值宽度法测量fs脉冲宽度

本文提出利用等值宽度测量fs光脉冲持续时间的方法.给出了脉冲形状为sech~2 (t/T)、exp(-2t~2/T~2)和exp(-2|t|/T)的干涉相关曲线上包络与相应二阶强度相关曲线半宽度等值的位置,它们分别是3.984、4.875和4.928.定义了两种相关测量的临界延迟速度.理论分析与实验结果符合得很好.所得结果表明,该测量方法可将常规超短脉冲相关测量的时间分辨率提高几倍至几十倍.     

非线性增益和波导结构对半导体激光器的谱线宽度的作用

本文采用半经典理论研究了非线性增益和波导结构对量子相位噪声引起的模式谱线增宽过程的作用,得出谱线宽度不但与线性增益而且与三阶增益有关,并且都受到波导结构的制书。从而提出新的谱线增宽因子和与功率无关的线宽的新机制。 关键词：     

由自共轭线性微分算子所确定的函数类在Lq(T)中的相对宽度

得到了使等式Kn(K2(Pr),MK2(Pr),L2(T))=dn(K2(Pr),L2(T))成立的最小M值,并计算了Kn(K2(Pr),K2(Pr),Lq(T))的渐近阶,其中Kn(.,.,Lq(T))和dn(.,Lq(T)),1≤q≤∞,分别代表Kolmogorov意义下在Lq(T)中的相对宽度和宽度,K2(Pr)表示定义在[-π,π]上由自共轭线性微分算子所确定的光滑函数类.     

多元Sobolev关于Lqp（R^d）下的平均线性宽度

得到了两种多元Sobloev类于Lqp(R^d)下平均线笥宽度的弱渐估计。     

利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.