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81.
后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 相似文献
82.
研究了原子化器温度、载气流速、KBH4 浓度等条件对流动注射 氢化物发生 原子吸收光谱法 (FI-HG -AAS)测定硒时的影响。建立了FI-HG -AAS测定大米中硒的分析方法。在优化的工作条件下 ,测定硒的最低检测浓度为 0 3 3 μg·L- 1,线性范围为 0~ 5 0 μg·L- 1,相对标准偏差小于 4% ,加标回收率为 94%~ 1 0 2 %。本法克服了传统的间断氢化物发生 原子吸收光谱法分析速度慢、样品耗量大、操作繁琐且因手工进样在进样速度和进样体积上容易带来误差等缺点。方法操作简便、快速 ,灵敏度及自动化程度高 ,已广泛应用于大米及富硒大米中微量硒的测定 相似文献
83.
84.
光电编码器温度漂移与补偿方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对光电编码器的温度漂移与补偿问题进行了讨论.在理论分析与实验的基础上,提出了一种理想的温度补偿方法. 相似文献
85.
86.
本文用超声相比较方法测定了高Tc超导体La1.85Sr0.15CuO4,La2CuO4和YBa2Cu3O7的纵波和横波声速,进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La1.85Sr0.15CuO4样品上,还进行了压力实验,发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热cV和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。 相似文献
87.
新型金属间化合物R_2Fe_(17)N_(2.4)的结构与磁性 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用适当的热处理,使氮原子进入到R_2Fe_(17)的结构中去.利用X射线衍射、磁测量和中子衍射技术研究了R_2Fe_(17)N_(24)的晶体结构和内禀磁性及其之间的联系.中子衍射研究结果表明,氮原子在Th_2Zn_(17)型菱方结构中,占据9e间隙位置.氮的加入使晶胞体积增大、Curie温度升高;使铁原子3d电子正负能带电子数目差额扩大、饱和磁矩增强;并且氮原子对稀土晶位的晶场效应有重大影响,导致Sm_2Fe_(17)N_(24)具有易磁化轴.所有这些效应使得Sm_2Fe_(17)N_(24)具备了研制高矫顽力永磁体的内禀性能. 相似文献
88.
89.
田兴 《新疆大学学报(理工版)》1991,8(1):53-55
本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0~200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70~0.76μm之间选择。 相似文献
90.